onsemi, MOSFET, 24 ben, QFN24 AEC-Q100 NCV51705MNTWG

NCV51705-driveren er designet til primært at drive SiC MOSFET-transistorer. For at opnå det lavest mulige ledningstab kan driveren levere den maksimalt tilladte gate-spænding til SiC MOSFET-enheden. Ved at levere høj peak-strøm under tænding og slukning minimeres tab ved omskiftning også. For at opnå større pålidelighed, DV/dt-immunitet og endnu Faster Turn-Off kan NCV51705 bruge sin indbyggede ladepumpe til at generere en negativ spændingsskinne, der kan vælges af brugeren. Til isolerede anvendelser giver NCV51705 også en eksternt tilgængelig 5 V skinne til at strømforsyne den sekundære side af digitale eller højhastigheds opto isolatorer.