onsemi Type P-Kanal, MOSFET, 130 mA 50 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, BSS84 AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 671-0328
- Producentens varenummer:
- BSS84
- Brand:
- onsemi
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 22,14
(ekskl. moms)
Kr. 27,68
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
- Plus 100 enhed(er) afsendes fra 09. november 2026
- Plus 1.290 enhed(er) afsendes fra 09. november 2026
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 2,214 | Kr. 22,14 |
| 100 - 240 | Kr. 1,915 | Kr. 19,15 |
| 250 - 490 | Kr. 1,653 | Kr. 16,53 |
| 500 - 990 | Kr. 1,451 | Kr. 14,51 |
| 1000 + | Kr. 1,331 | Kr. 13,31 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 671-0328
- Producentens varenummer:
- BSS84
- Brand:
- onsemi
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 130mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 50V | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Serie | BSS84 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 10Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -65°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 0.9nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 250mW | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 3mm | |
| Højde | 1mm | |
| Bredde | 1.3mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 130mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 50V | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Serie BSS84 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 10Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -65°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 0.9nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 250mW | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 3mm | ||
Højde 1mm | ||
Bredde 1.3mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101 | ||
Forbedringstilstand P-kanal MOSFET, ON on Semiconductor
Egenskaber og fordele:
Anvendelsesområder:
MOSFET transistorer, PÅ Semi
Relaterede links
- onsemi Type P-Kanal 130 mA 50 V Forbedring SOT-23 AEC-Q100, AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 130 mA 50 V Forbedring SOT-23 AEC-Q101 AEC-Q200
- Nexperia Type P-Kanal 130 mA 50 V Forbedring SOT-23, BSS84 AEC-Q101
- onsemi Type P-Kanal 130 mA 50 V Forbedring SOT-23, BVSS8L AEC-Q101
- onsemi Type P-Kanal 130 mA 50 V Forbedring SOT-23, BSS84L AEC-Q101
- onsemi N-Kanal 220 mA 50 V Forbedring SOT-23 AEC-Q200, AEC-Q100
- onsemi N-Kanal 115 mA 60 V Forbedring SOT-23 AEC-Q200, AEC-Q101
- onsemi N-Kanal 170 mA 100 V Forbedring SOT-23 AEC-Q101, AEC-Q200
