onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 170 mA 100 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, PowerTrench AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200 BSS123
- RS-varenummer:
- 671-0321
- Producentens varenummer:
- BSS123
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 16,46
(ekskl. moms)
Kr. 20,58
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 460 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
- Plus 390 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 1,646 | Kr. 16,46 |
| 100 - 240 | Kr. 1,421 | Kr. 14,21 |
| 250 - 490 | Kr. 1,227 | Kr. 12,27 |
| 500 - 990 | Kr. 1,077 | Kr. 10,77 |
| 1000 + | Kr. 0,98 | Kr. 9,80 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 671-0321
- Producentens varenummer:
- BSS123
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 170mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 6Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 1.8nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 360mW | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 0.93mm | |
| Længde | 2.92mm | |
| Bredde | 1.3 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200 | |
| Distrelec Product Id | 304-43-725 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 170mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie PowerTrench | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 6Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 1.8nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 360mW | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 0.93mm | ||
Længde 2.92mm | ||
Bredde 1.3 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200 | ||
Distrelec Product Id 304-43-725 | ||
PowerTrench® N-kanal MOSFET, op til 9,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET transistorer, PÅ Semi
På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.
På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.
Relaterede links
- onsemi N-Kanal 170 mA 100 V SOT-23, PowerTrench BSS123
- DiodesZetex N-Kanal 170 mA 100 V SOT-23 BSS123-7-F
- onsemi P-Kanal 340 mA 60 V SOT-23, PowerTrench NDC7003P
- onsemi N-Kanal 900 mA 20 V SOT-23, PowerTrench FDV305N
- onsemi P-Kanal 800 mA 150 V SOT-23, PowerTrench FDN86265P
- onsemi N-Kanal 170 mA 100 V SOT-23 BSS123LT1G
- onsemi N-Kanal 1 3 ben PowerTrench FDN335N
- onsemi N-Kanal 1 3 ben PowerTrench NDS351AN
