onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 170 mA 100 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, PowerTrench
- RS-varenummer:
- 545-0135
- Producentens varenummer:
- BSS123LT1G
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 11,52
(ekskl. moms)
Kr. 14,40
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 600 enhed(er) klar til afsendelse
- Plus 2.210 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 36.920 enhed(er) afsendes fra 12. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 1,152 | Kr. 11,52 |
| 100 - 240 | Kr. 0,987 | Kr. 9,87 |
| 250 - 490 | Kr. 0,86 | Kr. 8,60 |
| 500 - 990 | Kr. 0,755 | Kr. 7,55 |
| 1000 + | Kr. 0,681 | Kr. 6,81 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 545-0135
- Producentens varenummer:
- BSS123LT1G
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 170mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Serie | PowerTrench | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 6Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 225mW | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 160nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 2.9mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 0.94mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 170mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Serie PowerTrench | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 6Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 225mW | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 160nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 2.9mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 0.94mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
RoHS Status: Undtaget
N-kanal Power MOSFET, 100 V til 1700 V, ON Semiconductor
MOSFET-transistorer, ON Semiconductor
Relaterede links
- onsemi Type N-Kanal 170 mA 100 V Forbedring SOT-23, PowerTrench
- onsemi Type N-Kanal 170 mA 100 V Forbedring SOT-23 AEC-Q101, AEC-Q200
- onsemi Type N-Kanal 4.3 A 60 V Forbedring SOT-23, PowerTrench
- onsemi Type N-Kanal 2 A 20 V Forbedring SOT-23, PowerTrench
- onsemi Type N-Kanal 3 A 20 V Forbedring SOT-23, PowerTrench
- onsemi Type N-Kanal 3 A 80 V Forbedring SOT-23, PowerTrench
- onsemi Type N-Kanal 2.7 A 100 V Forbedring SOT-23, PowerTrench
- onsemi Type N-Kanal 1.6 A 150 V Forbedring SOT-23, PowerTrench