Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 16 A 650 V Forbedring, 4 Ben, PowerPAK 8 x 8 L, EF
- RS-varenummer:
- 200-6812
- Producentens varenummer:
- SIHH186N60EF-T1GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 197,02
(ekskl. moms)
Kr. 246,275
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 16. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | Kr. 39,404 | Kr. 197,02 |
| 25 - 45 | Kr. 29,186 | Kr. 145,93 |
| 50 - 120 | Kr. 24,414 | Kr. 122,07 |
| 125 - 245 | Kr. 21,692 | Kr. 108,46 |
| 250 + | Kr. 20,496 | Kr. 102,48 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 200-6812
- Producentens varenummer:
- SIHH186N60EF-T1GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 16A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | PowerPAK 8 x 8 L | |
| Serie | EF | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 193mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 32nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 114W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 8.1mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 8.1mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 16A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype PowerPAK 8 x 8 L | ||
Serie EF | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 193mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 32nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 114W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 8.1mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 8.1mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay SIH186N60EF-T1GE3 er en effekt-MOSFET i EF-serien med hurtig diode.
Generation E-serie teknologi
Lavt antal-af-fortjeneste
Lav effektiv kapacitet
Færre skift og ledningstab
Nominel lavine-energi (UIS)
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 16 A 650 V Forbedring PowerPAK 8 x 8 L, EF
- Vishay Type N-Kanal 23 A 650 V Forbedring PowerPAK 8 x 8 L, EF
- Vishay Type N-Kanal 36 A 650 V Forbedring PowerPAK 8 x 8 L, EF
- Vishay Type N-Kanal 26 A 650 V Udtømning PowerPAK 8 x 8 L, EF AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 30 A 650 V Forbedring PowerPAK 8 x 8 L, SIHH
- Vishay Type N-Kanal 13 A 650 V Forbedring PowerPAK 8 x 8 L, SIHH
- Vishay Type N-Kanal 38 A 600 V Forbedring PowerPAK, EF
- Vishay Type N-Kanal 31 A 600 V Forbedring PowerPAK, EF