Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 350 A 40 V Forbedring, 4 Ben, SO-8, SQJA36EP AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 200-6823
- Producentens varenummer:
- SQJA36EP-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 314,15
(ekskl. moms)
Kr. 392,70
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 06. april 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | Kr. 12,566 | Kr. 314,15 |
| 50 - 100 | Kr. 10,682 | Kr. 267,05 |
| 125 - 225 | Kr. 9,676 | Kr. 241,90 |
| 250 - 600 | Kr. 7,788 | Kr. 194,70 |
| 625 + | Kr. 7,288 | Kr. 182,20 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 200-6823
- Producentens varenummer:
- SQJA36EP-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 350A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | SQJA36EP | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.24mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 500W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 107nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 6.25mm | |
| Længde | 4.2mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 350A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie SQJA36EP | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.24mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 500W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 107nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 6.25mm | ||
Længde 4.2mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Vishay SQJA36EP-T1_GE3 er en N-kanal 40 V (D-S) til biler 175 °C MOSFET.
TrenchFET Gen IV Power MOSFET
AEC-Q101 kvalificeret
100 % Rg og UIS-testet
Qgd/Qgs-forhold< 1 optimerer skift
egenskaber
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 350 A 40 V Forbedring SO-8, SQJA36EP AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 350 A 40 V Forbedring PowerPAK, SQJA36EP AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 350 A 40 V Forbedring PowerPAK SO-8L, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N-kanal-Kanal 373 A 60 V Forbedring SO-8SW, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N-kanal-Kanal 467 A 40 V Forbedring SO-8SW, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N-kanal-Kanal 5.4 A 60 V Forbedring SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N-kanal-Kanal 98 A 150 V Forbedring PowerPAK SO-8L, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N-kanal-Kanal 99 A 40 V Forbedring PowerPAK SO-8L, TrenchFET AEC-Q101
