Vores services
Industry hub
Nye produkter
Pakkesporing
Log ind / Registrér
Log ind
/
Tilmeld dig
for at få adgang til dine fordele
Menu
Varenummer
Seneste søgninger
Afbrydere og omskiftere
Afbrydermateriel og sikringer
Automation og styring
Belysning
Kabinetter og serverracks
Kabler og ledninger
Relæer og signalbehandling
Varme, ventilation, blæsere og varmehåndtering
Batterier og opladere
Displays og optoelektronik
ESD-sikring, renrum og printfremstilling - PCB
Halvledere
Passive komponenter
Raspberry Pi, Arduino, ROCK og udviklingsværktøj
Stik, klemmer og terminaler
Strømforsyninger og transformere
Befæstelseselementer
Håndværktøj
Konstruktionsmaterialer og industriel hardware
Lagerinventar og materialehåndtering
Lejer og tætninger
Lim, tætningsmidler og tape
Mekanisk transmission
Pneumatik og hydraulik
Power tools, lodning og svejsning
VVS og rørledning
Computere og enheder
Kontorforsyning
Personlige værnemidler & Arbejdstøj
Rengøring og vedligeholdelse
Sikkerhed og isenkram
Sikkerhed på arbejdspladsen
Test- og måleudstyr
Halvledere
Diskrete halvledere
MOSFET
Infineon N-Kanal, SiC-strømmodul, 200 A 1200 V, AG-EASY2B, CoolSiC FF6MR12W2M1B11BOMA1
RS-varenummer:
201-2810
Producentens varenummer:
FF6MR12W2M1B11BOMA1
Brand:
Infineon
Se alle MOSFET
Dette produkt er udgået
RS-varenummer:
201-2810
Producentens varenummer:
FF6MR12W2M1B11BOMA1
Brand:
Infineon
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Egenskaber
Datasheet - FF6MR12W2M1B11BOMA1
RoHS-Deklaration
Statement of conformity
Infineon 6 MO, 1200 V halvbro-modul med siliciumkarbid MOSFET, det har NTC temperatursensor og Pressfit kontaktteknologi. Den fås også med termisk grænseflademateriale.
Høj strømtæthed
Lavt induktivt design
Lave koblingstab
RoHS-kompatible moduler
Attribute
Value
Kanaltype
N
Drain-strøm kontinuerlig maks.
200 A
Drain source spænding maks.
1200 V
Serie
CoolSiC
Kapslingstype
AG-EASY2B
Monteringstype
Skruemontering
Drain source modstand maks.
0,00825 Ω
Kanalform
Enhancement
Maks. tærskelspænding for port
5.55V
Antal elementer per chip
2
Transistormateriale
SiC