onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 262 A 60 V Forbedring, 8 Ben, LFPAK, NTMJS1D4N06CL Nej
- RS-varenummer:
- 201-3408
- Producentens varenummer:
- NTMJS1D4N06CLTWG
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 138,68
(ekskl. moms)
Kr. 173,35
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 22. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 13,868 | Kr. 138,68 |
| 100 - 240 | Kr. 11,953 | Kr. 119,53 |
| 250 + | Kr. 10,367 | Kr. 103,67 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 201-3408
- Producentens varenummer:
- NTMJS1D4N06CLTWG
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 262A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | LFPAK | |
| Serie | NTMJS1D4N06CL | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.3Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 103nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 180W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bredde | 1.3 mm | |
| Længde | 4.9mm | |
| Højde | 5mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 262A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype LFPAK | ||
Serie NTMJS1D4N06CL | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.3Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 103nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 180W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bredde 1.3 mm | ||
Længde 4.9mm | ||
Højde 5mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
ON Semiconductor 60 V N-kanal MOSFET har industriel effekt i 5 x 6 mm og bruges til kompakt og effektivt design og med høj termisk ydelse, og det er også denne enhed, der er blyfri og i overensstemmelse med RoHS.
Lav minimering af ledningstab
Lav QG og kapacitans for at minimere tab af driver