STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 30 A 600 V Udtømning, 3 Ben, TO-220, ST
- RS-varenummer:
- 202-5513
- Producentens varenummer:
- STF36N60M6
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 77,50
(ekskl. moms)
Kr. 96,88
(inkl. moms)
Tilføj 16 enheder for at opnå gratis levering
På lager
- Plus 176 enhed(er) afsendes fra 05. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | Kr. 38,75 | Kr. 77,50 |
| 10 - 18 | Kr. 32,855 | Kr. 65,71 |
| 20 + | Kr. 32,255 | Kr. 64,51 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 202-5513
- Producentens varenummer:
- STF36N60M6
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 30A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Serie | ST | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.085Ω | |
| Kanalform | Udtømning | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 44.3nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 40W | |
| Portkildespænding maks. | 25 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 10.4mm | |
| Højde | 30.6mm | |
| Bredde | 4.6 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 30A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Serie ST | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.085Ω | ||
Kanalform Udtømning | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 44.3nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 40W | ||
Portkildespænding maks. 25 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 10.4mm | ||
Højde 30.6mm | ||
Bredde 4.6 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
STMicroelectronics nye MDmesh™ M6-teknologi inkorporerer de seneste fremskridt i den velkendte og konsoliderede MDmesh-serie af SJ MOSFET'er. STMicroelectronics bygger på den tidligere generation af MDmesh-enheder via den nye M6-teknologi.
Lav indgangsmodstand for gate
100 % avalanche-testet
Zener-beskyttet
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 30 A 600 V Udtømning TO-220, ST Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 15 A 600 V Udtømning TO-220, ST Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 15 A 600 V Udtømning TO-220, ST Nej STF22N60M6
- STMicroelectronics Type N-Kanal 52 A 600 V Udtømning TO-247, ST Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 25 A 600 V Udtømning TO-263, ST Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 15 A 600 V Udtømning TO-220, STF Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 39 A 600 V Udtømning TO-247, ST Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 62 A 600 V Udtømning TO-247, ST Nej