STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 39 A 600 V Udtømning, 4 Ben, TO-247, ST Nej
- RS-varenummer:
- 202-5542
- Producentens varenummer:
- STW48N60M6-4
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rør af 30 enheder)*
Kr. 1.381,41
(ekskl. moms)
Kr. 1.726,77
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 22. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 30 - 90 | Kr. 46,047 | Kr. 1.381,41 |
| 120 - 240 | Kr. 44,576 | Kr. 1.337,28 |
| 270 - 570 | Kr. 42,272 | Kr. 1.268,16 |
| 600 - 1170 | Kr. 42,177 | Kr. 1.265,31 |
| 1200 + | Kr. 38,495 | Kr. 1.154,85 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 202-5542
- Producentens varenummer:
- STW48N60M6-4
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 39A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Serie | ST | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.061Ω | |
| Kanalform | Udtømning | |
| Portkildespænding maks. | 25 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 250W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 57nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 15.9mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 5.1 mm | |
| Højde | 41.2mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 39A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Serie ST | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.061Ω | ||
Kanalform Udtømning | ||
Portkildespænding maks. 25 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 250W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 57nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 15.9mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 5.1 mm | ||
Højde 41.2mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
STMicroelectronics nye MDmesh™ M6-teknologi inkorporerer de seneste fremskridt i den velkendte og konsoliderede MDmesh-serie af SJ MOSFET'er. STMicroelectronics bygger på den tidligere generation af MDmesh-enheder via den nye M6-teknologi.
100 % avalanche-testet
Zener-beskyttet
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 39 A 600 V Udtømning TO-247, ST Nej STW48N60M6-4
- STMicroelectronics Type N-Kanal 62 A 600 V Udtømning TO-247, ST Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 62 A 600 V Udtømning TO-247, ST Nej STW70N60DM6-4
- STMicroelectronics Type N-Kanal 52 A 600 V Udtømning TO-247, ST Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 52 A 600 V Udtømning TO-247, ST Nej STWA67N60M6
- STMicroelectronics Type N-Kanal 68 A 650 V Udtømning TO-247, ST Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 68 A 650 V Udtømning TO-247, ST Nej STW70N65DM6-4
- STMicroelectronics Type N-Kanal 68 A 650 V Udtømning TO-247, ST Nej STWA70N65DM6
