STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 52 A 600 V Udtømning, 3 Ben, TO-247, ST
- RS-varenummer:
- 202-5553
- Producentens varenummer:
- STWA67N60M6
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 40,69
(ekskl. moms)
Kr. 50,86
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 9 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 40,69 |
| 10 - 49 | Kr. 39,34 |
| 50 - 99 | Kr. 38,75 |
| 100 + | Kr. 38,30 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 202-5553
- Producentens varenummer:
- STWA67N60M6
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 52A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Serie | ST | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.045Ω | |
| Kanalform | Udtømning | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 72.5nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 330W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 41.2mm | |
| Længde | 15.9mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 52A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Serie ST | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.045Ω | ||
Kanalform Udtømning | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 72.5nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 330W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 41.2mm | ||
Længde 15.9mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
STMicroelectronics nye MDmesh™ M6-teknologi inkorporerer de seneste fremskridt i den velkendte og konsoliderede MDmesh-serie af SJ MOSFET'er. STMicroelectronics bygger på den tidligere generation af MDmesh-enheder via den nye M6-teknologi.
100 % avalanche-testet
Zener-beskyttet
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 52 A 600 V Udtømning TO-247, ST
- STMicroelectronics Type N-Kanal 62 A 600 V Udtømning TO-247, ST
- STMicroelectronics Type N-Kanal 39 A 600 V Udtømning TO-247, ST
- STMicroelectronics Type N-Kanal 38 A 600 V Udtømning TO-247, ST
- STMicroelectronics Type N-Kanal 68 A 650 V Udtømning TO-247, ST
- STMicroelectronics Type N-Kanal 30 A 600 V Udtømning TO-220, ST
- STMicroelectronics Type N-Kanal 15 A 600 V Udtømning TO-220, ST
- STMicroelectronics Type N-Kanal 25 A 600 V Udtømning TO-263, ST