onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 58 A 1200 V Forbedring, 4 Ben, TO-247, NTH Nej NTH4L040N120SC1

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 146,28

(ekskl. moms)

Kr. 182,84

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 630 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 +Kr. 73,14Kr. 146,28

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
202-5699
Producentens varenummer:
NTH4L040N120SC1
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

58A

Drain source spænding maks. Vds

1200V

Emballagetype

TO-247

Serie

NTH

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

56mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

25 V

Effektafsættelse maks. Pd

319W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

106nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

3.7V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Længde

15.8mm

Højde

22.74mm

Bredde

5.2 mm

Bilindustristandarder

Nej

Siliciumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L siliciumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L


ON Semiconductor siliciumkarbid Power MOSFET kører med 29 ampere og 1200 volt. Den kan bruges i nødstrømsforsyning, boostinverter, industrielt motordrev, PV lader.

40 MB dræn til kilde på modstand

Ultralav gate-opladning

100 % avalanche-testet

Blyfri

I overensstemmelse med RoHS

Relaterede links