onsemi N-Kanal, MOSFET, 30 A 1200 V, 7 ben, D2PAK (TO-263) NTBG080N120SC1
- RS-varenummer:
- 205-2450
- Producentens varenummer:
- NTBG080N120SC1
- Brand:
- onsemi
760 På lager til afsendelse samme dag
Dag til dag levering ikke mulig
Pris pr. stk. (Leveres Pr. stk.)
Kr. 88,04
(ekskl. moms)
Kr. 110,05
(inkl. moms)
| Enheder | Pr stk. |
| 1 - 9 | Kr. 88,04 |
| 10 - 99 | Kr. 75,85 |
| 100 - 249 | Kr. 74,95 |
| 250 - 499 | Kr. 73,90 |
| 500 + | Kr. 71,36 |
- RS-varenummer:
- 205-2450
- Producentens varenummer:
- NTBG080N120SC1
- Brand:
- onsemi
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Siliciumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, D2PAK-7L siliciumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, D2PAK-7L
ON Semiconductor siliciumcarbid (SiC) N-kanal MOSFET bruger en helt ny teknologi, der giver overlegen skifteevne og større pålidelighed sammenlignet med silicium. Desuden sikrer den lave MODSTAND og kompakte chip-størrelse lav kapacitet og gate-opladning. Systemfordelene omfatter derfor den højeste effektivitet, Faster driftsfrekvens, øget effekttæthed, reduceret EMI og reduceret systemstørrelse.
Lav modstand 80 Mohm type
Høj samledstemperatur
Ultralav gate-opladning
Lav effektiv udgangskapacitet
Høj samledstemperatur
Ultralav gate-opladning
Lav effektiv udgangskapacitet
Egenskaber
Attribute | Value |
|---|---|
| Kanaltype | N |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. | 30 A |
| Drain source spænding maks. | 1200 V |
| Kapslingstype | D2PAK (TO-263) |
| Monteringstype | Overflademontering |
| Benantal | 7 |
| Drain source modstand maks. | 110 mΩ |
| Maks. tærskelspænding for port | 4.3V |
| Antal elementer per chip | 1 |
| Transistormateriale | Si |