DiodesZetex Type N-Kanal, MOSFET, 6.9 A 60 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, DMN6022 AEC-Q101 DMN6022SSS-13
- RS-varenummer:
- 206-0091
- Producentens varenummer:
- DMN6022SSS-13
- Brand:
- DiodesZetex
Indhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 75,65
(ekskl. moms)
Kr. 94,55
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 1.675 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 + | Kr. 3,026 | Kr. 75,65 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 206-0091
- Producentens varenummer:
- DMN6022SSS-13
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 6.9A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Serie | DMN6022 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 34mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.3W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 14nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 4.85mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 3.8 mm | |
| Højde | 1.4mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 6.9A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Serie DMN6022 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 34mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.3W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 14nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 4.85mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 3.8 mm | ||
Højde 1.4mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
DiodesZetex 60V N-kanal-forbedringstilstand MOSFET er designet til at minimere modstand i tændt tilstand, men samtidig opretholde en overlegen skifteydelse, hvilket gør den ideel til højeffektiv strømstyringsanvendelse. Dens gate-source-spænding er 20 V med 1,3 W termisk effekttab.
Lav modstand ved tændt
Lav indgangskapacitet
Relaterede links
- DiodesZetex Type N-Kanal 6.9 A 60 V Forbedring SO-8, DMN6022 AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 7 A 20 V Forbedring SO-8, DMP2040USS AEC-Q101 DMP2040USS-13
- DiodesZetex AEC-Q100 AEC-Q200 GP4624S-13 8 Ben, SO-8
- DiodesZetex AEC-Q200 AEC-Q100 GP4624IS-13 8 Ben, SO-8
- DiodesZetex 2 Type N-Kanal Dobbelt 0.9 A 60 V Forbedring SO-8, ZXMS6008N8 AEC-Q101 ZXMS6008DN8Q-13
- DiodesZetex Type P-Kanal 7 A 20 V Forbedring SO-8, DMP2040USS AEC-Q101
- DiodesZetex AEC-Q200 AEC-Q100 8 Ben, SO-8
- DiodesZetex AEC-Q100 AEC-Q200 8 Ben, SO-8