DiodesZetex Type P-Kanal, MOSFET, 4.2 A 20 V Forbedring, 6 Ben, TSOT, DMP2067 AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 206-0109
- Producentens varenummer:
- DMP2067LVT-7
- Brand:
- DiodesZetex
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 50 enheder)*
Kr. 118,50
(ekskl. moms)
Kr. 148,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 2.250 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 2,37 | Kr. 118,50 |
| 100 - 200 | Kr. 2,085 | Kr. 104,25 |
| 250 - 450 | Kr. 2,032 | Kr. 101,60 |
| 500 - 950 | Kr. 1,976 | Kr. 98,80 |
| 1000 + | Kr. 1,927 | Kr. 96,35 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 206-0109
- Producentens varenummer:
- DMP2067LVT-7
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 4.2A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Emballagetype | TSOT | |
| Serie | DMP2067 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 65mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.2W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 15nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.4V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1mm | |
| Længde | 1.8mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4.2A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Emballagetype TSOT | ||
Serie DMP2067 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 65mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.2W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 15nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.4V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1mm | ||
Længde 1.8mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
DiodesZetex 20V P-kanal-forbedringstilstand MOSFET er designet til at minimere modstand i tændt tilstand, men samtidig opretholde en overlegen skifteydelse, hvilket gør den ideel til højeffektiv strømstyringsanvendelse. Dens gate-source-spænding er 8 V med 1,2 W termisk effekttab.
Lav modstand ved tændt
Lav indgangskapacitet
Relaterede links
- DiodesZetex Type P-Kanal 4.2 A 20 V Forbedring TSOT, DMP2067 AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 5.5 A 20 V Forbedring TSOT, DMP2040UVT AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 10.7 A 12 V Forbedring TSOT-26, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 4.2 A 60 V Forbedring UDFN, DMP6110 AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Type N Effekt MOSFET 6 Ben, TSOT AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Type N Effekt MOSFET 6 Ben, TSOT AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Type N Effekt MOSFET 6 Ben, TSOT AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 4.2 A 20 V Forbedring SOT-23, DMP AEC-Q101