DiodesZetex Type P-Kanal, MOSFET, 4.2 A 60 V Forbedring, 6 Ben, UDFN, DMP6110 AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 206-0134
- Producentens varenummer:
- DMP6110SFDFQ-7
- Brand:
- DiodesZetex
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 4.272,00
(ekskl. moms)
Kr. 5.340,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 3.000 enhed(er) afsendes fra 09. december 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 1,424 | Kr. 4.272,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 206-0134
- Producentens varenummer:
- DMP6110SFDFQ-7
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 4.2A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | UDFN | |
| Serie | DMP6110 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 130mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 0.76W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 17.2nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 1.95 mm | |
| Længde | 1.95mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 0.57mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4.2A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype UDFN | ||
Serie DMP6110 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 130mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 0.76W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 17.2nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 1.95 mm | ||
Længde 1.95mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 0.57mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
DiodesZetex 60V, 6-benet P-kanal-forbedringstilstand MOSFET er designet til at opfylde de strenge krav til anvendelse i biler. Den er kvalificeret til AEC-Q101, der understøttes af et PPAP, og er ideel til brug i strømstyringsfunktioner og batteristyringsprogram. Dens gate-source-spænding er 20 V med 0,76 W termisk effekttab.
Lav modstand ved tændt
Lav indgangskapacitet
Relaterede links
- DiodesZetex P-Kanal 4 6 ben DMP6110 DMP6110SFDFQ-7
- DiodesZetex N/P-Kanal-Kanal 2 390 mA 60 V U-DFN2020, DMC67 DMC67D8UFDBQ-7
- DiodesZetex P-Kanal 3 6 ben, U-DFN2020 DMP2075UFDB-7
- DiodesZetex P-Kanal 7 6 ben, U-DFN2020 DMP2016UFDF-7
- DiodesZetex P-Kanal 3 6 ben, U-DFN2020 DMP2110UFDB-7
- DiodesZetex P-Kanal 6 A 40 V U-DFN2020 DMP4047LFDE-7
- DiodesZetex P-Kanal 12 6 ben, U-DFN2020 DMP1005UFDF-7
- DiodesZetex P-Kanal 11 A 12 V U-DFN2020 DMP1009UFDF-7
