Toshiba N-Kanal, MOSFET, 150 A 40 V Forbedring, 8 Ben, SOP, TPHR8504PL
- RS-varenummer:
- 206-9797
- Producentens varenummer:
- TPHR8504PL,L1Q(M
- Brand:
- Toshiba
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 95,79
(ekskl. moms)
Kr. 119,74
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 3.420 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 19,158 | Kr. 95,79 |
| 50 - 495 | Kr. 17,242 | Kr. 86,21 |
| 500 + | Kr. 15,326 | Kr. 76,63 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 206-9797
- Producentens varenummer:
- TPHR8504PL,L1Q(M
- Brand:
- Toshiba
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Toshiba | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 150A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | SOP | |
| Serie | TPHR8504PL | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.4Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 103nC | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 170W | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 5mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 900μm | |
| Længde | 6mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Toshiba | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 150A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype SOP | ||
Serie TPHR8504PL | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.4Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 103nC | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 170W | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 5mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 900μm | ||
Længde 6mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Toshiba silikone N-kanal MOSFET med høj hastighed switching-egenskaber. Den bruges primært i højeffektive DC-DC-konvertere, switching-spændingsregulatorer og motordrivere.
Lav drænkilde ON-modstand 0,7 m?
Opbevaringstemperatur -55 til 175 °C.
Relaterede links
- Toshiba N-Kanal 150 A 40 V Forbedring SOP, TPHR8504PL
- Toshiba N-Kanal 340 A 40 V Forbedring SOP
- Toshiba N-Kanal 100 A 60 V Forbedring SOP, TPH1R306PL
- Toshiba N-Kanal 168 A 75 V SOP
- Toshiba N-Kanal 93 A 100 V Forbedring SOP
- Toshiba N-Kanal 92 A 40 V Forbedring SOP
- Toshiba N-Kanal 65 A 60 V Forbedring TSON
- Toshiba N-Kanal 20 A 40 V Forbedring SOP, TPC