Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 175 A 40 V Forbedring, 4 Ben, SO-8, SQJ142ELP AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 210-5033
- Producentens varenummer:
- SQJ142ELP-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 72,78
(ekskl. moms)
Kr. 90,98
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 23. marts 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 7,278 | Kr. 72,78 |
| 100 - 240 | Kr. 6,912 | Kr. 69,12 |
| 250 - 490 | Kr. 5,251 | Kr. 52,51 |
| 500 - 990 | Kr. 4,727 | Kr. 47,27 |
| 1000 + | Kr. 4,002 | Kr. 40,02 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 210-5033
- Producentens varenummer:
- SQJ142ELP-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 175A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Serie | SQJ142ELP | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.2mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 39nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 190W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1.12mm | |
| Længde | 6.25mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 175A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Serie SQJ142ELP | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.2mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 39nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 190W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1.12mm | ||
Længde 6.25mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Vishay Automotive N-kanal 40 V (D-S) 175 °C MOSFET har PowerPAK SO-8L hustype med 175 A drænstrøm.
TrenchFET Gen IV Power MOSFET
AEC-Q101 kvalificeret
100 % Rg og UIS-testet
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 175 A 40 V Forbedring SO-8, SQJ142ELP AEC-Q101
- Vishay N-kanal-Kanal 373 A 60 V Forbedring SO-8SW, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N-kanal-Kanal 467 A 40 V Forbedring SO-8SW, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N-kanal-Kanal 5.4 A 60 V Forbedring SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N-kanal-Kanal 98 A 150 V Forbedring PowerPAK SO-8L, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N-kanal-Kanal 99 A 40 V Forbedring PowerPAK SO-8L, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N-kanal-Kanal 346 A 40 V Forbedring PowerPAK SO-8, SQRS144EP AEC-Q101
- Vishay Type N MOSFET 4 Ben SQJ146ELP AEC-Q101
