Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 75 A 40 V Forbedring, 4 Ben, SO-8, SQJ146EP AEC-Q101 SQJ146EP-T1_GE3
- RS-varenummer:
- 210-5043
- Producentens varenummer:
- SQJ146EP-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 43,68
(ekskl. moms)
Kr. 54,60
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 5.640 enhed(er) afsendes fra 12. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 + | Kr. 4,368 | Kr. 43,68 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 210-5043
- Producentens varenummer:
- SQJ146EP-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 75A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | SQJ146EP | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 5.5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 75W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 18nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 1.1mm | |
| Længde | 5mm | |
| Bredde | 6.25 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 75A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie SQJ146EP | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 5.5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 75W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 18nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 1.1mm | ||
Længde 5mm | ||
Bredde 6.25 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Vishay Automotive N-kanal 40 V (D-S) 175 °C MOSFET har PowerPAK SO-8L hustype med 75 A drænstrøm.
TrenchFET Gen IV Power MOSFET
AEC-Q101 kvalificeret
100 % Rg og UIS-testet
Qgd/Qgs forhold < 1 optimerer skiftekarakteristika
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 75 A 40 V Forbedring SO-8, SQJ146EP AEC-Q101
- Vishay Siliconix Type N-Kanal 75 A 40 V Forbedring SO-8, TrenchFET AEC-Q101 SQJA76EP-T1_GE3
- Vishay Siliconix Type N-Kanal 75 A 40 V Forbedring SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 75 A 60 V Forbedring SO-8, SQJA66EP_RC AEC-Q101 SQJA66EP-T1_GE3
- Vishay Type N-Kanal 60 A 40 V Forbedring SO-8, SQJB46EP_RC AEC-Q101 SQJB46EP-T1_GE3
- Vishay Type N-Kanal 66 A 40 V Forbedring SO-8, SQJ150EP AEC-Q101 SQJ150EP-T1_GE3
- Vishay Type N-Kanal 123 A 40 V Forbedring SO-8, SQJ152ELP AEC-Q101 SQJ152ELP-T1_GE3
- Vishay Type N-Kanal 167 A 40 V Forbedring SO-8, SQJ142EP AEC-Q101 SQJ142EP-T1_GE3