Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 66 A 40 V Forbedring, 4 Ben, SO-8, SQJ150EP AEC-Q101 SQJ150EP-T1_GE3
- RS-varenummer:
- 210-5045
- Producentens varenummer:
- SQJ150EP-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 54,90
(ekskl. moms)
Kr. 68,60
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 03. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 5,49 | Kr. 54,90 |
| 100 - 240 | Kr. 5,214 | Kr. 52,14 |
| 250 - 490 | Kr. 4,668 | Kr. 46,68 |
| 500 - 990 | Kr. 3,359 | Kr. 33,59 |
| 1000 + | Kr. 2,633 | Kr. 26,33 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 210-5045
- Producentens varenummer:
- SQJ150EP-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 66A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Serie | SQJ150EP | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 6.8mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 65W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 15nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 6.25 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1.1mm | |
| Længde | 5mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 66A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Serie SQJ150EP | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 6.8mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 65W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 15nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 6.25 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1.1mm | ||
Længde 5mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Vishay Automotive N-kanal 40 V (D-S) 175 °C MOSFET har PowerPAK SO-8L hustype med 66 A drænstrøm.
TrenchFET Gen IV Power MOSFET
AEC-Q101 kvalificeret
100 % Rg og UIS-testet
Qgd/Qgs forhold < 1 optimerer skiftekarakteristika
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 66 A 40 V PowerPAK SO-8L SQJ150EP-T1_GE3
- Vishay 4 ben, PowerPAK SO-8L SQJB46EP-T1_GE3
- Vishay N-Kanal 4 ben, PowerPAK SO-8L SQJB46ELP-T1_GE3
- Vishay N-Kanal 66 A 80 V PowerPAK SO-8L SQJ186ELP-T1_GE3
- Vishay N-Kanal 130 A 40 V PowerPAK SO-8L SQJ144EP-T1_GE3
- Vishay N-Kanal 175 A 40 V PowerPAK SO-8L SQJ142ELP-T1_GE3
- Vishay N-Kanal 123 A 40 V PowerPAK SO-8L SQJ152ELP-T1_GE3
- Vishay N-Kanal 266 A. 40 V PowerPAK SO-8L SQJ140ELP-T1_GE3
