Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 123 A 40 V Forbedring, 4 Ben, SO-8, SQJ152ELP AEC-Q101 SQJ152ELP-T1_GE3
- RS-varenummer:
- 210-5047
- Producentens varenummer:
- SQJ152ELP-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 55,58
(ekskl. moms)
Kr. 69,48
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 5.950 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 5,558 | Kr. 55,58 |
| 100 - 240 | Kr. 5,281 | Kr. 52,81 |
| 250 - 490 | Kr. 3,994 | Kr. 39,94 |
| 500 - 990 | Kr. 3,62 | Kr. 36,20 |
| 1000 + | Kr. 3,052 | Kr. 30,52 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 210-5047
- Producentens varenummer:
- SQJ152ELP-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 123A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | SQJ152ELP | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 4mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 22.5nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 136W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 6.25 mm | |
| Højde | 1.1mm | |
| Længde | 5mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 123A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie SQJ152ELP | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 4mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 22.5nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 136W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 6.25 mm | ||
Højde 1.1mm | ||
Længde 5mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Vishay Automotive N-kanal 40 V (D-S) 175 °C MOSFET har PowerPAK SO-8L hustype med 123 A drænstrøm.
TrenchFET Gen IV Power MOSFET
AEC-Q101 kvalificeret
100 % Rg og UIS-testet
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 123 A 40 V Forbedring SO-8, SQJ152ELP AEC-Q101
- Vishay 2 Type N-Kanal 123 A 40 V Forbedring SO-8L, SQJ740EP Nej SQJ740EP-T1_GE3
- Vishay Type N-Kanal 60 A 40 V Forbedring SO-8, SQJB46EP_RC AEC-Q101 SQJB46EP-T1_GE3
- Vishay Type N-Kanal 66 A 40 V Forbedring SO-8, SQJ150EP AEC-Q101 SQJ150EP-T1_GE3
- Vishay Type N-Kanal 167 A 40 V Forbedring SO-8, SQJ142EP AEC-Q101 SQJ142EP-T1_GE3
- Vishay Type N-Kanal 175 A 40 V Forbedring SO-8, SQJ142ELP AEC-Q101 SQJ142ELP-T1_GE3
- Vishay Type N-Kanal 20.7 A 40 V Forbedring SO-8, SQ4840CEY AEC-Q101 SQ4840CEY-T1_GE3
- Vishay Type N-Kanal 114 A 40 V Forbedring SO-8, TrenchFET AEC-Q101 SQJ152EP-T1_GE3