Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 20.7 A 40 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, SQ4840CEY AEC-Q101 SQ4840CEY-T1_GE3
- RS-varenummer:
- 268-8357
- Producentens varenummer:
- SQ4840CEY-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 61,93
(ekskl. moms)
Kr. 77,41
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Udgår
- Sidste 2.430 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 12,386 | Kr. 61,93 |
| 50 - 95 | Kr. 11,206 | Kr. 56,03 |
| 100 - 245 | Kr. 8,706 | Kr. 43,53 |
| 250 - 995 | Kr. 8,558 | Kr. 42,79 |
| 1000 + | Kr. 5,684 | Kr. 28,42 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 268-8357
- Producentens varenummer:
- SQ4840CEY-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 20.7A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | SQ4840CEY | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.012Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 7.1W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 68nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | AEC-Q101 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 20.7A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie SQ4840CEY | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.012Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 7.1W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 68nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser AEC-Q101 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay N-kanal TrenchFET effekt MOSFET til brug i biler er en bly- og halogenfri enhed med enkelt konfiguration MOSFET og er uafhængig af driftstemperatur.
AEC Q101-kvalificeret
I overensstemmelse med ROHS
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 20.7 A 40 V Forbedring SO-8, SQ4840CEY AEC-Q101 SQ4840CEY-T1_GE3
- Vishay Type P-Kanal 17.3 A 40 V Forbedring SO-8, SQ4401CEY AEC-Q101 SQ4401CEY-T1_GE3
- Vishay Type N-Kanal 20 A 40 V Forbedring SO-8, SQJA42EP AEC-Q101 SQJA42EP-T1_GE3
- Vishay Type N-Kanal 60 A 40 V Forbedring SO-8, SQJA38EP AEC-Q101 SQJA38EP-T1_GE3
- Vishay Siliconix Type P-Kanal 30 A 40 V Forbedring SO-8, TrenchFET AEC-Q101 SQJ415EP-T1_GE3
- Vishay Siliconix Type N-Kanal 75 A 40 V Forbedring SO-8, TrenchFET AEC-Q101 SQJA76EP-T1_GE3
- Vishay Type N-Kanal 12 A 60 V Forbedring SO-8, SQ4850CEY AEC-Q101 SQ4850CEY-T1_GE3
- Vishay Type N-Kanal 72 A 80 V Forbedring SO-8, SQJA78EP AEC-Q101 SQJA78EP-T1_GE3
