Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 20 A 40 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, SQJA42EP AEC-Q101 SQJA42EP-T1_GE3
- RS-varenummer:
- 188-5140
- Producentens varenummer:
- SQJA42EP-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 88,49
(ekskl. moms)
Kr. 110,61
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 800 enhed(er) afsendes fra 12. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 8,849 | Kr. 88,49 |
| 100 - 240 | Kr. 8,408 | Kr. 84,08 |
| 250 - 490 | Kr. 6,373 | Kr. 63,73 |
| 500 - 990 | Kr. 5,752 | Kr. 57,52 |
| 1000 + | Kr. 4,428 | Kr. 44,28 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 188-5140
- Producentens varenummer:
- SQJA42EP-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 20A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Serie | SQJA42EP | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 16mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 22nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 27W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 5mm | |
| Højde | 1.01mm | |
| Bredde | 4.47 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 20A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Serie SQJA42EP | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 16mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 22nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 27W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 5mm | ||
Højde 1.01mm | ||
Bredde 4.47 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Bilkøretøj N-kanal 40 V (D-S) 175 °C MOSFET.
TrenchFET® power MOSFET
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 20 A 40 V Forbedring SO-8, SQJA42EP AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 20.7 A 40 V Forbedring SO-8, SQ4840CEY AEC-Q101 SQ4840CEY-T1_GE3
- Vishay Type N-Kanal 60 A 40 V Forbedring SO-8, SQJA38EP AEC-Q101 SQJA38EP-T1_GE3
- Vishay Siliconix Type N-Kanal 75 A 40 V Forbedring SO-8, TrenchFET AEC-Q101 SQJA76EP-T1_GE3
- Vishay Type P-Kanal 17.3 A 40 V Forbedring SO-8, SQ4401CEY AEC-Q101 SQ4401CEY-T1_GE3
- Vishay Type N-Kanal 60 A 40 V Forbedring SO-8, SQJB46EP_RC AEC-Q101 SQJB46EP-T1_GE3
- Vishay Type N-Kanal 66 A 40 V Forbedring SO-8, SQJ150EP AEC-Q101 SQJ150EP-T1_GE3
- Vishay Type N-Kanal 123 A 40 V Forbedring SO-8, SQJ152ELP AEC-Q101 SQJ152ELP-T1_GE3
