Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 60 A 40 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, SQJA38EP AEC-Q101 SQJA38EP-T1_GE3
- RS-varenummer:
- 188-5120
- Producentens varenummer:
- SQJA38EP-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 53,44
(ekskl. moms)
Kr. 66,80
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 04. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 + | Kr. 5,344 | Kr. 53,44 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 188-5120
- Producentens varenummer:
- SQJA38EP-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 60A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | SQJA38EP | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 6.7mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 48.2nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 68W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 1.01mm | |
| Længde | 5mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 4.47 mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 60A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie SQJA38EP | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 6.7mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 48.2nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 68W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 1.01mm | ||
Længde 5mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 4.47 mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Bilkøretøj N-kanal 40 V (D-S) 175 °C MOSFET.
TrenchFET® power MOSFET
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 60 A 40 V Forbedring SO-8, SQJA38EP AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 12 A 60 V Forbedring SO-8, SQ4850CEY AEC-Q101 SQ4850CEY-T1_GE3
- Vishay Type N-Kanal 60 A 40 V Forbedring SO-8, SQJB46EP_RC AEC-Q101 SQJB46EP-T1_GE3
- Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt 60 A 40 V Forbedring SO-8, TrenchFET AEC-Q101 SQJ208EP-T1_GE3
- Vishay Type N-Kanal 75 A 60 V Forbedring SO-8, SQJA66EP_RC AEC-Q101 SQJA66EP-T1_GE3
- Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt 7 A 60 V Forbedring SO-8, TrenchFET AEC-Q101 SQ4946CEY-T1_GE3
- Vishay Type N-Kanal 60 A 40 V Forbedring SO-8, SQJB46EP_RC AEC-Q101
- Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt 60 A 40 V Forbedring SO-8, TrenchFET AEC-Q101