Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 12 A 60 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, SQ4850CEY AEC-Q101 SQ4850CEY-T1_GE3
- RS-varenummer:
- 268-8359
- Producentens varenummer:
- SQ4850CEY-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 68,29
(ekskl. moms)
Kr. 85,36
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 2.480 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | Kr. 6,829 | Kr. 68,29 |
| 50 - 90 | Kr. 6,695 | Kr. 66,95 |
| 100 - 240 | Kr. 5,333 | Kr. 53,33 |
| 250 - 990 | Kr. 5,221 | Kr. 52,21 |
| 1000 + | Kr. 3,471 | Kr. 34,71 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 268-8359
- Producentens varenummer:
- SQ4850CEY-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 12A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Serie | SQ4850CEY | |
| Monteringstype | Printmontering | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.031Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 6.8W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 34nC | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | AEC-Q101 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 12A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Serie SQ4850CEY | ||
Monteringstype Printmontering | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.031Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 6.8W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 34nC | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser AEC-Q101 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay N-kanal TrenchFET effekt MOSFET til brug i biler er en bly- og halogenfri enhed med enkelt konfiguration MOSFET og er uafhængig af driftstemperatur.
AEC Q101-kvalificeret
I overensstemmelse med ROHS
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 12 A 60 V Forbedring SO-8, SQ4850CEY AEC-Q101 SQ4850CEY-T1_GE3
- Vishay Type N-Kanal 60 A 40 V Forbedring SO-8, SQJA38EP AEC-Q101 SQJA38EP-T1_GE3
- Vishay Type N-Kanal 60 A 40 V Forbedring SO-8, SQJB46EP_RC AEC-Q101 SQJB46EP-T1_GE3
- Vishay Type N-Kanal 75 A 60 V Forbedring SO-8, SQJA66EP_RC AEC-Q101 SQJA66EP-T1_GE3
- Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt 60 A 40 V Forbedring SO-8, TrenchFET AEC-Q101 SQJ208EP-T1_GE3
- Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt 7 A 60 V Forbedring SO-8, TrenchFET AEC-Q101 SQ4946CEY-T1_GE3
- Vishay Type N-Kanal 60 A 40 V Forbedring SO-8, SQJA38EP AEC-Q101
- Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt 54 A 60 V Forbedring SO-8, SQJ264EP AEC-Q101 SQJ264EP-T1_GE3
