Vishay N-Kanal, MOSFET, 123 A 40 V Forbedring, 4 Ben, SO-8, SQJ152ELP AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 210-5046
- Producentens varenummer:
- SQJ152ELP-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 210-5046
- Producentens varenummer:
- SQJ152ELP-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 123A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Serie | SQJ152ELP | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 4mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 22.5nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 136W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 6.25mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1.1mm | |
| Længde | 5mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 123A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Serie SQJ152ELP | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 4mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 22.5nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 136W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 6.25mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1.1mm | ||
Længde 5mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Vishay Automotive N-kanal 40 V (D-S) 175 °C MOSFET har PowerPAK SO-8L hustype med 123 A drænstrøm.
TrenchFET Gen IV Power MOSFET
AEC-Q101 kvalificeret
100 % Rg og UIS-testet
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 123 A 40 V Forbedring SO-8, SQJ152ELP AEC-Q101
- Vishay 2 N-Kanal 123 A 40 V Forbedring SO-8L, SQJ740EP
- Vishay N-Kanal 12 A 60 V Forbedring SO-8, SQ4850CEY AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 20.7 A 40 V Forbedring SO-8, SQ4840CEY AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 500 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 114 A 40 V Forbedring SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 166 A 60 V Forbedring SO-8L, SQJ162EP AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 72 A 80 V Forbedring SO-8, SQJA78EP AEC-Q101