Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 460 A 40 V Forbedring, 4 Ben, PowerPAK (8x8L), SQJQ142E AEC-Q101 SQJQ142E-T1_GE3
- RS-varenummer:
- 210-5058
- Producentens varenummer:
- SQJQ142E-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 79,53
(ekskl. moms)
Kr. 99,41
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 2.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 15,906 | Kr. 79,53 |
| 50 - 120 | Kr. 14,316 | Kr. 71,58 |
| 125 - 245 | Kr. 11,914 | Kr. 59,57 |
| 250 - 495 | Kr. 9,544 | Kr. 47,72 |
| 500 + | Kr. 7,954 | Kr. 39,77 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 210-5058
- Producentens varenummer:
- SQJQ142E-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 460A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | PowerPAK (8x8L) | |
| Serie | SQJQ142E | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 500W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 92nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 8mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1.7mm | |
| Bredde | 8.1 mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 460A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype PowerPAK (8x8L) | ||
Serie SQJQ142E | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 500W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 92nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 8mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1.7mm | ||
Bredde 8.1 mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Vishay Automotive N-kanal 40 V (D-S) 175 °C MOSFET har PowerPAK 8 x 8 L hustype.
TrenchFET® Gen IV power-MOSFET
AEC-Q101 kvalificeret
100 % Rg og UIS-testet
Tyndt 1,6 mm hus
Meget lav termisk modstand
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 460 A 40 V Forbedring PowerPAK (8x8L), SQJQ142E AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 575 A 40 V Forbedring PowerPAK (8x8L), SQJQ144AE AEC-Q101 SQJQ144AE-T1_GE3
- Vishay Type N-Kanal 375 A 40 V Forbedring PowerPAK (8x8L), SQJQ148E AEC-Q101 SQJQ148E-T1_GE3
- Vishay Type N-Kanal 701 A 40 V Forbedring PowerPAK (8x8L), TrenchFET AEC-Q101 SQJQ140E-T1_GE3
- Vishay Type N-Kanal 118 A 30 V Forbedring PowerPAK (8x8L) AEC-Q101 SQJ184EP-T1_GE3
- Vishay Type N-Kanal 701 A 40 V Forbedring PowerPAK (8x8L), TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 575 A 40 V Forbedring PowerPAK (8x8L), SQJQ144AE AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 375 A 40 V Forbedring PowerPAK (8x8L), SQJQ148E AEC-Q101
