DiodesZetex Type N-Kanal, MOSFET, 248 A 100 V Forbedring, 8 Ben, PowerDI1012, DMTH10H2M5STLW AEC-Q101, AEC-Q200,
- RS-varenummer:
- 213-9226
- Producentens varenummer:
- DMTH10H2M5STLW-13
- Brand:
- DiodesZetex
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 45,84
(ekskl. moms)
Kr. 57,30
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 1.500 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | Kr. 22,92 | Kr. 45,84 |
| 50 - 98 | Kr. 22,255 | Kr. 44,51 |
| 100 - 248 | Kr. 21,73 | Kr. 43,46 |
| 250 - 498 | Kr. 21,205 | Kr. 42,41 |
| 500 + | Kr. 20,605 | Kr. 41,21 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 213-9226
- Producentens varenummer:
- DMTH10H2M5STLW-13
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 248A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | PowerDI1012 | |
| Serie | DMTH10H2M5STLW | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.8V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 230.8W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 124.4nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 11.68 mm | |
| Højde | 2.3mm | |
| Længde | 9.9mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 248A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype PowerDI1012 | ||
Serie DMTH10H2M5STLW | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.8V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 230.8W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 124.4nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 11.68 mm | ||
Højde 2.3mm | ||
Længde 9.9mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100 | ||
DiodesZetex DMT10H2M5STLW-serien MOSFET er designet til at minimere modstand i tændt tilstand, opretholde en overlegen skifteevne, hvilket gør den ideel til højeffektive strømstyringsopgaver.
Høj konverteringseffektivitet
Våd bordflanke for forbedret optisk inspektion
Relaterede links
- DiodesZetex Type N-Kanal 248 A 100 V Forbedring PowerDI1012 AEC-Q200,
- DiodesZetex Type N-Kanal 248 A 100 V Forbedring PowerDI1012, DMTH10H2M5STLWQ Nej
- DiodesZetex Type N-Kanal 248 A 100 V Forbedring PowerDI1012, DMTH10H2M5STLWQ Nej DMTH10H2M5STLWQ-13
- DiodesZetex Type N-Kanal 10.7 A 12 V Forbedring PowerDI1012-8 AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 10.7 A 12 V Forbedring PowerDI1012-8 AEC-Q101 DMTH4001STLWQ-13
- DiodesZetex Type N-Kanal 10.7 A 12 V PowerDI1012-8 AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 10.7 A 12 V PowerDI1012-8 AEC-Q101 DMTH4001STLW-13
- DiodesZetex Type N-Kanal 10.7 A 12 V Forbedring AEC-Q101
