Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 195 A 40 V, 8 Ben, SuperSO, OptiMOS Nej BSC014N04LSIATMA1
- RS-varenummer:
- 214-4319
- Producentens varenummer:
- BSC014N04LSIATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 73,15
(ekskl. moms)
Kr. 91,45
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 3.925 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | Kr. 14,63 | Kr. 73,15 |
| 25 - 45 | Kr. 12,298 | Kr. 61,49 |
| 50 - 120 | Kr. 11,55 | Kr. 57,75 |
| 125 - 245 | Kr. 10,682 | Kr. 53,41 |
| 250 + | Kr. 9,964 | Kr. 49,82 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-4319
- Producentens varenummer:
- BSC014N04LSIATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 195A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Emballagetype | SuperSO | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2mΩ | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 55nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.7V | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 96W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1.2mm | |
| Bredde | 6.1 mm | |
| Længde | 5.35mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Distrelec Product Id | 304-39-396 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 195A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie OptiMOS | ||
Emballagetype SuperSO | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2mΩ | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 55nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.7V | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 96W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1.2mm | ||
Bredde 6.1 mm | ||
Længde 5.35mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Distrelec Product Id 304-39-396 | ||
Denne Infineon OptiMOS Power MOSFET er optimeret til synkron ensretning og har højere loddetilslutning på grund af udvidet sammenkobling af kilder.
Den er halogenfri i henhold til IEC61249-2-21
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 195 A 40 V SuperSO, OptiMOS Nej
- Infineon Type N-Kanal 81 A 40 V Forbedring SuperSO, OptiMOS Nej
- Infineon Type N-Kanal 98 A 40 V Forbedring SuperSO, OptiMOS Nej
- Infineon Type N-Kanal 81 A 40 V Forbedring SuperSO, OptiMOS Nej BSC054N04NSGATMA1
- Infineon Type N-Kanal 98 A 40 V Forbedring SuperSO, OptiMOS Nej BSC032N04LSATMA1
- Infineon Type N-Kanal 70 A 40 V Forbedring SuperSO, OptiMOS 5 Nej IPC70N04S54R6ATMA1
- Infineon Type N-Kanal 100 A 40 V Forbedring SuperSO, OptiMOS 5 AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 100 A 40 V Forbedring SuperSO, OptiMOS 5 AEC-Q101 IPC100N04S51R9ATMA1
