Infineon N-Kanal, MOSFET, 195 A 40 V, 8 Ben, SuperSO, OptiMOS

RS-varenummer:: 214-4318
Producentens varenummer:: BSC014N04LSIATMA1
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 195 A 40 V, 8 Ben, SuperSO, OptiMOS

Indhold (1 rulle af 5000 enheder)*

Kr. 21.400,00

(ekskl. moms)

Kr. 26.750,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

Afsendelse fra 11. december 2026

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
5000 +	Kr. 4,28	Kr. 21.400,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 214-4318
Producentens varenummer:: BSC014N04LSIATMA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Kanaltype	N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	195A
	Drain source spænding maks. Vds	40V
	Emballagetype	SuperSO
	Serie	OptiMOS
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	2mΩ
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	55nC
	Portkildespænding maks.	20V
	Gennemgangsspænding Vf	700mV
	Effektafsættelse maks. Pd	96W
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Højde	1.2mm
	Bredde	6.1mm
	Længde	5.35mm
	Standarder/godkendelser	No
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Kanaltype N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 195A
	Drain source spænding maks. Vds 40V
	Emballagetype SuperSO
	Serie OptiMOS
	Monteringstype Overflade
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 2mΩ
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 55nC
	Portkildespænding maks. 20V
	Gennemgangsspænding Vf 700mV
	Effektafsættelse maks. Pd 96W
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Højde 1.2mm
	Bredde 6.1mm
	Længde 5.35mm
	Standarder/godkendelser No
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet - BSC014N04LSIATMA1

Infineon OptiMOS seriens MOSFET, 40 V maksimal drain source-spænding, 195 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - BSC014N04LSIATMA1

Denne MOSFET er en højstrøms-switching-transistor, der er designet til overflademonterede strømanvendelser, hvor der kræves lavt ledningstab og robust termisk modstandsdygtighed. Den fungerer over et bredt temperaturområde og er velegnet til krævende elektroniske miljøer, der har brug for effektiv N-kanalswitching ved moderate drain-source-spændinger.

Egenskaber og fordele:

• Meget lav Rds(on) 2 mΩ reducerer ledningstab under høj strøm
• Maksimal kontinuerlig afløbsstrøm på 195 A understøtter tunge belastninger
• Maksimalt effekttab på 96 W muliggør vedvarende effekthåndtering
• Maksimal drain-source-spænding 40 V muliggør brug af system med moderat spænding
• Typisk gate-ladning 55 nC giver forudsigelig koblingsenergi
• Maksimal gate-kilde-spænding 20 V beskytter gaden mod overspænding

Anvendelser

• Velegnet til DC/DC-omformere i strømfordelingssystemer
• Ideel til motordrevstrin, der kræver høj kontinuerlig strøm
• Anvendes sammen med batteristyringsmoduler, der har brug for lavt ledningstab
• Kan bruges til synkron ensretning i strømforsyninger
• Velegnet til omskiftning af højstrømsbelastning på printkort

Hvilke termiske ekstremer kan den tolerere under drift?

Den er specificeret til drift fra -55 °C op til 150 °C, hvilket giver mulighed for brug i miljøer med lav temperatur og forhøjet temperatur uden nedjustering ud over enhedens grænser.

Hvordan understøtter pakken printkortmontering og køling?

Enheden leveres i en SuperSO 8-benet pakke til overflademontering med minimal monteringshøjde for at lette kompakte PCB-layouts og effektive PCB-ledningskøleveje.

Hvilken type ledningskanal bruger den, og hvordan påvirker det skiftet?

Den anvender en N-kanaltopologi, som giver lav modstand ved tænding for effektiv ledning og konventionel gate-drive-polaritet til almindelige driverkredsløb.

Hvilken fremadgående spænding kan forventes under ledning?

Den fremadrettede spænding er typisk 0,7 V under specificerede forhold, hvilket bidrager til beregninger af samlet effekttab i systemdesign.