Infineon N-Kanal, MOSFET, 64 A 60 V N, 8 Ben, SuperSO, OptiMOS

RS-varenummer:: 214-4322
Producentens varenummer:: BSC065N06LS5ATMA1
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 64 A 60 V N, 8 Ben, SuperSO, OptiMOS

Indhold (5000 enheder, på en rulle med 5000)*

Kr. 16.605,00

(ekskl. moms)

Kr. 20.755,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

Afsendelse fra 29. januar 2027

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
5000 +	Kr. 3,321	Kr. 16.605,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 214-4322
Producentens varenummer:: BSC065N06LS5ATMA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Kanaltype	N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	64A
	Drain source spænding maks. Vds	60V
	Emballagetype	SuperSO
	Serie	OptiMOS
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	9.2mΩ
	Kanalform	N
	Effektafsættelse maks. Pd	46W
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	10nC
	Gennemgangsspænding Vf	1.2V
	Portkildespænding maks.	20V
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Standarder/godkendelser	No
	Længde	5.35mm
	Bredde	6.1mm
	Højde	1.2mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Kanaltype N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 64A
	Drain source spænding maks. Vds 60V
	Emballagetype SuperSO
	Serie OptiMOS
	Monteringstype Overflade
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 9.2mΩ
	Kanalform N
	Effektafsættelse maks. Pd 46W
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 10nC
	Gennemgangsspænding Vf 1.2V
	Portkildespænding maks. 20V
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Standarder/godkendelser No
	Længde 5.35mm
	Bredde 6.1mm
	Højde 1.2mm
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet - BSC065N06LS5ATMA1

Infineon OptiMOS seriens MOSFET, 60 V maksimal drain source-spænding, 64 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - BSC065N06LS5ATMA1

Denne MOSFET er en højstrøms N-kanals halvlederenhed, der er designet til koblings- og strømstyringsroller i kompakte elektroniske enheder. Den fungerer over et bredt temperaturområde til krævende miljøer og leveres i en 8-benet SuperSO-pakke til overflademontering, der er velegnet til tætte kortlayouts. Enheden understøtter opgaver med mellemspændingsstrømkonvertering, hvor der kræves hurtig omskiftning og lave ledningstab.

Egenskaber og fordele:

• Meget lav modstand ved tænding på 9.2 mΩ reducerer ledningstab
• Høj kontinuerlig afløbsstrøm på 64 A muliggør håndtering af kraftig belastning
• Drain-source mærkespænding 60 V understøtter midspændingssystemer
• Gate-charge 10 nC muliggør hurtige skifteovergange
• Maksimalt effekttab på 46 W muliggør vedvarende strømoverførsel
• Gate-source modstandsdygtig over for 20 V, der passer til almindelige gate-drivspændinger

Anvendelser

• Velegnet til synkrone buck-omformere i strømforsyninger
• Ideel til motordrevstrin i industrielle styreenheder
• Anvendes sammen med batteristyringskredsløb til omskiftning med høj strømstyrke
• Kan bruges til DC/DC-omformere i telekommunikationsudstyr
• Velegnet til server- og databehandlingskort med strømregulering

Hvilke termiske ekstremer kan den modstå under drift?

Den er specificeret til at fungere fra -55 °C op til 150 °C omgivelsesforhold, hvilket muliggør brug i både koldstart og miljøer med høje temperaturer.

Hvordan understøtter pakken printkortmontering og layout?

SuperSO-formatet til overflademontering med et 8-benet fodaftryk letter automatiseret placering og konservative termiske veje til køling af loddeplader.

Hvilken skifteadfærd kan designere forvente under gate-drev?

Med en typisk gate-ladning på 10 nC er skifteovergange hurtige, samtidig med at gate-drive-strømkravene holdes moderate for de fleste driver-IC'er.

Hvordan passer enheden til anvendelser med høj strømstyrke på kompakte kort?

Dens kombination af 64 A kontinuerlig strømkapacitet og lav modstand ved tænding giver designere mulighed for at levere betydelig strøm på begrænset plads på kortet, samtidig med at I2R-tabene begrænses.