Infineon N-Kanal, MOSFET, 49 A 80 V N, 8 Ben, SuperSO, OptiMOS 5
- RS-varenummer:
- 214-4328
- Producentens varenummer:
- BSC117N08NS5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (15 enheder, i en pakke med 15)*
Kr. 134,04
(ekskl. moms)
Kr. 167,55
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 13.200 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | Kr. 8,936 | Kr. 134,04 |
| 75 - 135 | Kr. 8,487 | Kr. 127,31 |
| 150 - 360 | Kr. 8,133 | Kr. 122,00 |
| 375 - 735 | Kr. 7,769 | Kr. 116,54 |
| 750 + | Kr. 7,235 | Kr. 108,53 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-4328
- Producentens varenummer:
- BSC117N08NS5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 49A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Emballagetype | SuperSO | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 11.7mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 15nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 50W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 6.1mm | |
| Højde | 1.2mm | |
| Længde | 5.35mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 49A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Emballagetype SuperSO | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 11.7mΩ | ||
Kanalform N | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 15nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 50W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 6.1mm | ||
Højde 1.2mm | ||
Længde 5.35mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon OptiMOS 5 seriens MOSFET, 80 V drain source-spænding, 49 A kontinuerlig drain-strøm - BSC117N08NS5ATMA1
Denne MOSFET er en overflademonteret N-kanals effekttransistor, der er designet til højstrømsomskiftning i kompakte elektroniske enheder. Den fungerer over et bredt omgivelsesområde og er velegnet til anvendelser, der kræver effektiv ledning og hurtig skifteadfærd. Enheden leveres i en otte-benet SuperSO-pakke og er beregnet til brug, hvor der kræves lav modstand ved tænding og betydelig drenstrømkapacitet.
Egenskaber og fordele:
• 11,7 mΩ Rds(on), der giver reducerede ledningstab
• 49 A kontinuerlig afløbsstrøm til håndtering af kraftige belastninger
• 80 V drain-source mærkeværdi til højspændingsswitching
• 15 nC gate-ladning til reaktiv omskiftningskontrol
• 50 W maks. effekttab for robust termisk ydeevne
• 49 A kontinuerlig afløbsstrøm til håndtering af kraftige belastninger
• 80 V drain-source mærkeværdi til højspændingsswitching
• 15 nC gate-ladning til reaktiv omskiftningskontrol
• 50 W maks. effekttab for robust termisk ydeevne
Anvendelser
• Velegnet til højeffektive strømforsyninger i elektronik
• Ideel til DC/DC-omformere og synkron ensretning
• Anvendes sammen med motorstyringer, der kræver høj strømkapacitet
• Kan bruges til telekommunikation og serverstrømfordeling
• Velegnet til kompakte, overflademonterede enheder med høj tæthed
• Ideel til DC/DC-omformere og synkron ensretning
• Anvendes sammen med motorstyringer, der kræver høj strømkapacitet
• Kan bruges til telekommunikation og serverstrømfordeling
• Velegnet til kompakte, overflademonterede enheder med høj tæthed
Hvilke ekstreme temperaturer kan den modstå under drift?
Den er specificeret til drift fra -55 °C op til 150 °C og passer til barske termiske forhold.
Hvordan hjælper pakken med design på kortniveau?
SuperSO 8-benet layout og lav profil 1,2 mm højde giver mulighed for tæt komponentplacering og routing med lav induktans.
Hvad er den typiske fremadgående spænding under ledning?
Enheden udviser en fremadgående spænding på 1,1 V under specificerede ledningsforhold, hvilket påvirker ledningstabberegningerne.
Hvilken maksimal portbelastning skal designet tillade?
Porten skal drives inden for ±20 V for at undgå at overskride den maksimale mærkespænding for port-kilde.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 49 A 80 V N SuperSO, OptiMOS 5
- Infineon N-Kanal 95 A 80 V Forbedring SuperSO, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 64 A 60 V N SuperSO, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 234 A 60 V N SuperSO, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 195 A 40 V SuperSO, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 24 A 250 V N SuperSO, OptiMOS 3
- Infineon N-Kanal 56 A 150 V N SuperSO, OptiMOS 5
- Infineon N-Kanal 87 A 150 V N SuperSO, OptiMOS 5
