Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 49 A 80 V N, 8 Ben, SuperSO, OptiMOS 5
- RS-varenummer:
- 214-4328
- Producentens varenummer:
- BSC117N08NS5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 15 enheder)*
Kr. 129,255
(ekskl. moms)
Kr. 161,565
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 13.230 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | Kr. 8,617 | Kr. 129,26 |
| 75 - 135 | Kr. 8,188 | Kr. 122,82 |
| 150 - 360 | Kr. 7,844 | Kr. 117,66 |
| 375 - 735 | Kr. 7,49 | Kr. 112,35 |
| 750 + | Kr. 6,977 | Kr. 104,66 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-4328
- Producentens varenummer:
- BSC117N08NS5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 49A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Emballagetype | SuperSO | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 11.7mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 15nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 50W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1.2mm | |
| Længde | 5.35mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 49A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Emballagetype SuperSO | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 11.7mΩ | ||
Kanalform N | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 15nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 50W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1.2mm | ||
Længde 5.35mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Denne Infineon OptiMOS MOSFET tilbyder det nyeste R DS (ON) af en rende MOSFET sammen med det brede sikre driftsområde af en klassisk planar MOSFET.
Den er ideel til anvendelser med hot-swap og e-sikring
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 49 A 80 V N SuperSO, OptiMOS 5
- Infineon Type N-Kanal 95 A 80 V Forbedring SuperSO, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 64 A 60 V N SuperSO, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 234 A 60 V N SuperSO, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 24 A 250 V N SuperSO, OptiMOS 3
- Infineon Type N-Kanal 87 A 150 V N SuperSO, OptiMOS 5
- Infineon Type N-Kanal 56 A 150 V N SuperSO, OptiMOS 5
- Infineon Type N-Kanal 195 A 40 V SuperSO, OptiMOS