Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 56 A 150 V N, 8 Ben, SuperSO, OptiMOS 5
- RS-varenummer:
- 214-4330
- Producentens varenummer:
- BSC160N15NS5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 100,53
(ekskl. moms)
Kr. 125,66
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 4.880 enhed(er) afsendes fra 25. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | Kr. 10,053 | Kr. 100,53 |
| 20 - 40 | Kr. 9,559 | Kr. 95,59 |
| 50 - 90 | Kr. 9,148 | Kr. 91,48 |
| 100 - 240 | Kr. 8,744 | Kr. 87,44 |
| 250 + | Kr. 8,138 | Kr. 81,38 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-4330
- Producentens varenummer:
- BSC160N15NS5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 56A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 150V | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Emballagetype | SuperSO | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 16mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 96W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 19nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 5.35mm | |
| Højde | 1.2mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 56A | ||
Drain source spænding maks. Vds 150V | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Emballagetype SuperSO | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 16mΩ | ||
Kanalform N | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 96W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 19nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 5.35mm | ||
Højde 1.2mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Denne Infineon OptiMOS MOSFET tilbyder det nyeste R DS (ON) af en rende MOSFET sammen med det brede sikre driftsområde af en klassisk planar MOSFET.
Den er ideel til anvendelser med hot-swap og e-sikring
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 56 A 150 V N SuperSO, OptiMOS 5
- Infineon Type N-Kanal 87 A 150 V N SuperSO, OptiMOS 5
- Infineon Type N-Kanal 64 A 60 V N SuperSO, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 234 A 60 V N SuperSO, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 24 A 250 V N SuperSO, OptiMOS 3
- Infineon Type N-Kanal 49 A 80 V N SuperSO, OptiMOS 5
- Infineon Type N-Kanal 195 A 40 V SuperSO, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 95 A 80 V Forbedring SuperSO, OptiMOS