Infineon N-Kanal, MOSFET, 49 A 80 V N, 8 Ben, SuperSO, OptiMOS 5

RS-varenummer:: 214-4327
Producentens varenummer:: BSC117N08NS5ATMA1
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 49 A 80 V N, 8 Ben, SuperSO, OptiMOS 5

Indhold (5000 enheder, på en rulle med 5000)*

Kr. 19.255,00

(ekskl. moms)

Kr. 24.070,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

På lager

10.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
5000 +	Kr. 3,851	Kr. 19.255,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 214-4327
Producentens varenummer:: BSC117N08NS5ATMA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	49A
	Drain source spænding maks. Vds	80V
	Emballagetype	SuperSO
	Serie	OptiMOS 5
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	11.7mΩ
	Kanalform	N
	Effektafsættelse maks. Pd	50W
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	15nC
	Portkildespænding maks.	20V
	Gennemgangsspænding Vf	1.1V
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Længde	5.35mm
	Højde	1.2mm
	Standarder/godkendelser	No
	Bredde	6.1mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 49A
	Drain source spænding maks. Vds 80V
	Emballagetype SuperSO
	Serie OptiMOS 5
	Monteringstype Overflade
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 11.7mΩ
	Kanalform N
	Effektafsættelse maks. Pd 50W
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 15nC
	Portkildespænding maks. 20V
	Gennemgangsspænding Vf 1.1V
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Længde 5.35mm
	Højde 1.2mm
	Standarder/godkendelser No
	Bredde 6.1mm
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet - BSC117N08NS5ATMA1

Infineon OptiMOS 5 seriens MOSFET, 80 V drain source-spænding, 49 A kontinuerlig drain-strøm - BSC117N08NS5ATMA1

Denne MOSFET er en overflademonteret N-kanals effekttransistor, der er designet til højstrømsomskiftning i kompakte elektroniske enheder. Den fungerer over et bredt omgivelsesområde og er velegnet til anvendelser, der kræver effektiv ledning og hurtig skifteadfærd. Enheden leveres i en otte-benet SuperSO-pakke og er beregnet til brug, hvor der kræves lav modstand ved tænding og betydelig drenstrømkapacitet.

Egenskaber og fordele:

• 11,7 mΩ Rds(on), der giver reducerede ledningstab
• 49 A kontinuerlig afløbsstrøm til håndtering af kraftige belastninger
• 80 V drain-source mærkeværdi til højspændingsswitching
• 15 nC gate-ladning til reaktiv omskiftningskontrol
• 50 W maks. effekttab for robust termisk ydeevne

Anvendelser

• Velegnet til højeffektive strømforsyninger i elektronik
• Ideel til DC/DC-omformere og synkron ensretning
• Anvendes sammen med motorstyringer, der kræver høj strømkapacitet
• Kan bruges til telekommunikation og serverstrømfordeling
• Velegnet til kompakte, overflademonterede enheder med høj tæthed

Hvilke ekstreme temperaturer kan den modstå under drift?

Den er specificeret til drift fra -55 °C op til 150 °C og passer til barske termiske forhold.

Hvordan hjælper pakken med design på kortniveau?

SuperSO 8-benet layout og lav profil 1,2 mm højde giver mulighed for tæt komponentplacering og routing med lav induktans.

Hvad er den typiske fremadgående spænding under ledning?

Enheden udviser en fremadgående spænding på 1,1 V under specificerede ledningsforhold, hvilket påvirker ledningstabberegningerne.

Hvilken maksimal portbelastning skal designet tillade?

Porten skal drives inden for ±20 V for at undgå at overskride den maksimale mærkespænding for port-kilde.