Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 49 A 80 V N, 8 Ben, SuperSO, OptiMOS 5 Nej
- RS-varenummer:
- 214-4327
- Producentens varenummer:
- BSC117N08NS5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 5000 enheder)*
Kr. 18.955,00
(ekskl. moms)
Kr. 23.695,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 10.000 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 5000 + | Kr. 3,791 | Kr. 18.955,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-4327
- Producentens varenummer:
- BSC117N08NS5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 49A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Emballagetype | SuperSO | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 11.7mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 15nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 50W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1.2mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 6.1 mm | |
| Længde | 5.35mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 49A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Emballagetype SuperSO | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 11.7mΩ | ||
Kanalform N | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 15nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 50W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1.2mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 6.1 mm | ||
Længde 5.35mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Denne Infineon OptiMOS MOSFET tilbyder det nyeste R DS (ON) af en rende MOSFET sammen med det brede sikre driftsområde af en klassisk planar MOSFET.
Den er ideel til anvendelser med hot-swap og e-sikring
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 49 A 80 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ 5 BSC117N08NS5ATMA1
- Infineon N-Kanal 66 A 80 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ 5 ISC0602NLSATMA1
- Infineon N-Kanal 70 A 80 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ 5 IAUC70N08S5N074ATMA1
- Infineon N-Kanal 131 A 80 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ 5 BSC037N08NS5ATMA1
- Infineon N-Kanal 74 A 80 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ 5 BSC072N08NS5ATMA1
- Infineon N-Kanal 100 A 80 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ 5 IAUC100N08S5N043ATMA1
- Infineon N-Kanal 28 A 80 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ 5 IAUC28N08S5L230ATMA1
- Infineon N-Kanal 95 A 80 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ BSC052N08NS5ATMA1
