Infineon N-Kanal, MOSFET, 40 A 40 V N, 8 Ben, PQFN, OptiMOS

RS-varenummer:: 214-4338
Producentens varenummer:: BSZ034N04LSATMA1
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 40 A 40 V N, 8 Ben, PQFN, OptiMOS

Indhold (1 rulle af 5000 enheder)*

Kr. 13.330,00

(ekskl. moms)

Kr. 16.660,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

Afsendelse fra 18. oktober 2027

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
5000 +	Kr. 2,666	Kr. 13.330,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 214-4338
Producentens varenummer:: BSZ034N04LSATMA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	40A
	Drain source spænding maks. Vds	40V
	Serie	OptiMOS
	Emballagetype	PQFN
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	4.6mΩ
	Kanalform	N
	Gennemgangsspænding Vf	1V
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Effektafsættelse maks. Pd	52W
	Portkildespænding maks.	20V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	25nC
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Længde	3.4mm
	Højde	1.1mm
	Standarder/godkendelser	No
	Bredde	3.4mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 40A
	Drain source spænding maks. Vds 40V
	Serie OptiMOS
	Emballagetype PQFN
	Monteringstype Overflade
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 4.6mΩ
	Kanalform N
	Gennemgangsspænding Vf 1V
	Min. driftstemperatur -55°C
	Effektafsættelse maks. Pd 52W
	Portkildespænding maks. 20V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 25nC
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Længde 3.4mm
	Højde 1.1mm
	Standarder/godkendelser No
	Bredde 3.4mm
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet - BSZ034N04LSATMA1

Infineon OptiMOS seriens MOSFET, 40 V maksimal drain source-spænding, 40 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - BSZ034N04LSATMA1

Denne MOSFET er en overflademonteret N-kanals koblingstransistor, der er designet til strømkonvertering og anvendelser med høj strømstyrke. Den fungerer over et bredt temperaturområde og er beregnet til kompakte, kortmonterede designs, hvor lavt ledningstab og hurtig omskiftning er påkrævet.

Egenskaber og fordele:

• Meget lav modstand ved tænding på 4.6 mΩ reducerer ledningstab
• Høj kontinuerlig afløbsstrøm på 40 A understøtter tunge belastninger
• 40 V drain-source-klassificering muliggør midspændingstrin
• Typisk gate-opladning på 25 nC giver hurtigere koblingsrespons
• Effekttab på 52 W muliggør betydelig varmehåndtering
• Gate-source-grænse 20 V beskytter mod for store drivspændinger

Anvendelser

• Velegnet til omskiftningstrin for DC-DC-konvertere
• Ideel til synkron ensretning i strømforsyninger
• Anvendes sammen med motordrevne halvbrokredsløb
• Kan bruges til batteristyring og strømfordeling
• Velegnet til belastningspunktmoduler med høj strømstyrke

Hvilken monteringstilgang kræver den på et kort?

Den leveres i en PQFN-pakke til overflademontering, der er designet til loddet printkortmontering og termisk ledning gennem pakkens jordmønster.

Hvordan påvirker dets termiske område implementeringen?

Vurderet fra -55 til 150 °C kan den placeres i miljøer med ekstreme omgivelses- og høje samletemperaturer, med forbehold for passende termisk design.

Hvilke overvejelser om gate-drev gælder for koblingens ydeevne?

Med en typisk gate-ladning på 25 nC bør designere levere tilstrækkelig gate-drivstrøm for at opnå målrettede overgangshastigheder, samtidig med at de håndterer EMI.

Er den konfigureret til forstærkning?

Enheden bruger en N-kanals ledningstilstand, der er velegnet til lav- og højsidekonfigurationer, når den parres med passende portdrev og niveauskift.