Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 40 A 40 V N, 8 Ben, PQFN, OptiMOS
- RS-varenummer:
- 214-4339
- Producentens varenummer:
- BSZ034N04LSATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 15 enheder)*
Kr. 96,195
(ekskl. moms)
Kr. 120,24
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 9.060 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 5.010 enhed(er) afsendes fra 24. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | Kr. 6,413 | Kr. 96,20 |
| 75 - 135 | Kr. 6,094 | Kr. 91,41 |
| 150 - 360 | Kr. 5,839 | Kr. 87,59 |
| 375 - 735 | Kr. 5,585 | Kr. 83,78 |
| 750 + | Kr. 5,196 | Kr. 77,94 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-4339
- Producentens varenummer:
- BSZ034N04LSATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 40A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | PQFN | |
| Serie | OptiMOS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 4.6mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 52W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 25nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1.1mm | |
| Længde | 3.4mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 40A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype PQFN | ||
Serie OptiMOS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 4.6mΩ | ||
Kanalform N | ||
Effektafsættelse maks. Pd 52W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 25nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1.1mm | ||
Længde 3.4mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Denne Infineon Power MOSFET er et perfekt valg til synkron ensretning i switched Mode strømforsyninger (SMPS), som f.eks. dem, der findes på servere og stationære computere. Derudover kan disse enheder bruges til en lang række industrielle anvendelser, herunder motorstyring og DC-DC-konverter med hurtigt skift.
Det giver høj systemeffektivitet
Det er 100% lavine testet
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 40 A 40 V N PQFN, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 40 A 80 V N PQFN, OptiMOS 5
- Infineon Type N-Kanal 105 A 40 V Forbedring PQFN, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 40 A 100 V Forbedring PQFN, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 62 A 100 V N PQFN, OptiMOS 5
- Infineon Type N-Kanal 86 A 60 V PQFN, OptiMOS 5
- Infineon Type N-Kanal 64 A 80 V PQFN, OptiMOS 5
- Infineon Type N-Kanal 37 A 100 V PQFN, OptiMOS 5