Infineon N-Kanal, MOSFET, 62 A 100 V N, 8 Ben, PQFN, OptiMOS 5
- RS-varenummer:
- 214-4343
- Producentens varenummer:
- BSZ096N10LS5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 98,74
(ekskl. moms)
Kr. 123,42
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 8.520 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | Kr. 9,874 | Kr. 98,74 |
| 50 - 90 | Kr. 9,387 | Kr. 93,87 |
| 100 - 240 | Kr. 8,976 | Kr. 89,76 |
| 250 - 490 | Kr. 8,587 | Kr. 85,87 |
| 500 + | Kr. 7,989 | Kr. 79,89 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-4343
- Producentens varenummer:
- BSZ096N10LS5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 62A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | PQFN | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 13.5mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 69W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 12nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1.1mm | |
| Bredde | 3.4mm | |
| Længde | 3.4mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 62A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype PQFN | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 13.5mΩ | ||
Kanalform N | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 69W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 12nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1.1mm | ||
Bredde 3.4mm | ||
Længde 3.4mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon OptiMOS 5 seriens MOSFET, 100 V drain source-spænding, 62 A kontinuerlig drain-strøm - BSZ096N10LS5ATMA1
Denne MOSFET er en højspændingstransistor, der er designet til overflademonterede strømforsyningsanvendelser, hvor effektiv ledning og en kompakt formfaktor er påkrævet. Den fungerer over et bredt termisk område og er velegnet til krævende elektroniske kredsløb, der har brug for robust strømstyrke og lavt ledningstab uden at angive mekaniske størrelser her.
Egenskaber og fordele:
• Meget lav modstand ved tænding på 13.5 mΩ reducerer ledningstab
• Høj kontinuerlig afløbsstrøm på 62 A understøtter omskiftning under kraftig belastning
• 100 V drain-source mærkeværdi muliggør højspændingsdrift
• Maks. effekttab på 69 W muliggør forøget termisk belastning
• En typisk gate-ladning på 12 nC muliggør hurtigere omskiftning ved høj frekvens
• Gate-source-modstandsdygtighed på 20 V giver margen til gate-driv-signaler
• Høj kontinuerlig afløbsstrøm på 62 A understøtter omskiftning under kraftig belastning
• 100 V drain-source mærkeværdi muliggør højspændingsdrift
• Maks. effekttab på 69 W muliggør forøget termisk belastning
• En typisk gate-ladning på 12 nC muliggør hurtigere omskiftning ved høj frekvens
• Gate-source-modstandsdygtighed på 20 V giver margen til gate-driv-signaler
Anvendelser
• Velegnet til synkrone buck-omformere i strømforsyninger
• Ideel til motordrevstrin, der kræver høj kontinuerlig strøm
• Anvendes sammen med hurtigt skiftende regulatorer i telekommunikationsudstyr
• Kan bruges til batteristyring i højspændingssystemer
• Anvendes i serverstrømfordeling og datacenterforsyninger
• Ideel til motordrevstrin, der kræver høj kontinuerlig strøm
• Anvendes sammen med hurtigt skiftende regulatorer i telekommunikationsudstyr
• Kan bruges til batteristyring i højspændingssystemer
• Anvendes i serverstrømfordeling og datacenterforsyninger
Hvilke ekstreme temperaturer tåler den under drift?
Den er specificeret til at fungere fra -55 °C op til 150 °C, hvilket giver mulighed for brug i termisk krævende miljøer.
Hvilken montering og stiftanordning bruger den til printkortmontering?
Komponenten er en overflademonteret enhed, der leveres i et 8-benet PQFN-hus, der er designet til kompakt implementering på kortniveau.
Hvad er ledningskanaltypen, og hvordan påvirker det kredsløbsdesign?
Den anvender en N-kanalforbedringsenhed, der kræver passende gate-drive-polaritet og er optimeret til lav-side- eller synkrone skiftetopologier.
Hvordan påvirker den fremadgående spænding koblingens ydeevne?
Den fremadrettede spænding på 1,2 V angiver diodens ledningskarakteristik under body-diode-hændelser og informerer om beregninger af ledningstab under kommutation.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 62 A 100 V N PQFN, OptiMOS 5
- Infineon N-Kanal 40 A 40 V N PQFN, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 37 A 100 V PQFN, OptiMOS 5
- Infineon N-Kanal 58 A 100 V PQFN, OptiMOS 5
- Infineon N-Kanal 40 A 100 V Forbedring PQFN, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 40 A 80 V N PQFN, OptiMOS 5
- Infineon N-Kanal 56 A 60 V PQFN, OptiMOS 5
- Infineon N-Kanal 86 A 60 V PQFN, OptiMOS 5