Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 62 A 100 V N, 8 Ben, PQFN, OptiMOS 5
- RS-varenummer:
- 214-4343
- Producentens varenummer:
- BSZ096N10LS5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 93,35
(ekskl. moms)
Kr. 116,69
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 8.970 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | Kr. 9,335 | Kr. 93,35 |
| 50 - 90 | Kr. 8,879 | Kr. 88,79 |
| 100 - 240 | Kr. 8,482 | Kr. 84,82 |
| 250 - 490 | Kr. 8,123 | Kr. 81,23 |
| 500 + | Kr. 7,547 | Kr. 75,47 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-4343
- Producentens varenummer:
- BSZ096N10LS5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 62A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | PQFN | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 13.5mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 69W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 12nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1.1mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 3.4mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 62A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype PQFN | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 13.5mΩ | ||
Kanalform N | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 69W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 12nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1.1mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 3.4mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Denne Infineon OptiMOS MOSFET tilbyder det nyeste R DS (ON) af en rende MOSFET sammen med det brede sikre driftsområde af en klassisk planar MOSFET.
Den er ideel til anvendelser med hot-swap og e-sikring
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 62 A 100 V N PQFN, OptiMOS 5
- Infineon Type N-Kanal 40 A 40 V N PQFN, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 40 A 80 V N PQFN, OptiMOS 5
- Infineon Type N-Kanal 105 A 40 V Forbedring PQFN, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 40 A 100 V Forbedring PQFN, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 86 A 60 V PQFN, OptiMOS 5
- Infineon Type N-Kanal 64 A 80 V PQFN, OptiMOS 5
- Infineon Type N-Kanal 37 A 100 V PQFN, OptiMOS 5