Infineon N-Kanal, MOSFET, 62 A 100 V N, 8 Ben, PQFN, OptiMOS 5

RS-varenummer:: 214-4342
Producentens varenummer:: BSZ096N10LS5ATMA1
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 62 A 100 V N, 8 Ben, PQFN, OptiMOS 5

Indhold (1 rulle af 5000 enheder)*

Kr. 22.930,00

(ekskl. moms)

Kr. 28.660,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

På lager

5.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
5000 +	Kr. 4,586	Kr. 22.930,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 214-4342
Producentens varenummer:: BSZ096N10LS5ATMA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Kanaltype	N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	62A
	Drain source spænding maks. Vds	100V
	Serie	OptiMOS 5
	Emballagetype	PQFN
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	13.5mΩ
	Kanalform	N
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	12nC
	Effektafsættelse maks. Pd	69W
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Portkildespænding maks.	20V
	Gennemgangsspænding Vf	1.2V
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Bredde	3.4mm
	Længde	3.4mm
	Højde	1.1mm
	Standarder/godkendelser	No
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Kanaltype N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 62A
	Drain source spænding maks. Vds 100V
	Serie OptiMOS 5
	Emballagetype PQFN
	Monteringstype Overflade
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 13.5mΩ
	Kanalform N
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 12nC
	Effektafsættelse maks. Pd 69W
	Min. driftstemperatur -55°C
	Portkildespænding maks. 20V
	Gennemgangsspænding Vf 1.2V
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Bredde 3.4mm
	Længde 3.4mm
	Højde 1.1mm
	Standarder/godkendelser No
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet - BSZ096N10LS5ATMA1

Infineon OptiMOS 5 seriens MOSFET, 100 V drain source-spænding, 62 A kontinuerlig drain-strøm - BSZ096N10LS5ATMA1

Denne MOSFET er en højspændingstransistor, der er designet til overflademonterede strømforsyningsanvendelser, hvor effektiv ledning og en kompakt formfaktor er påkrævet. Den fungerer over et bredt termisk område og er velegnet til krævende elektroniske kredsløb, der har brug for robust strømstyrke og lavt ledningstab uden at angive mekaniske størrelser her.

Egenskaber og fordele:

• Meget lav modstand ved tænding på 13.5 mΩ reducerer ledningstab
• Høj kontinuerlig afløbsstrøm på 62 A understøtter omskiftning under kraftig belastning
• 100 V drain-source mærkeværdi muliggør højspændingsdrift
• Maks. effekttab på 69 W muliggør forøget termisk belastning
• En typisk gate-ladning på 12 nC muliggør hurtigere omskiftning ved høj frekvens
• Gate-source-modstandsdygtighed på 20 V giver margen til gate-driv-signaler

Anvendelser

• Velegnet til synkrone buck-omformere i strømforsyninger
• Ideel til motordrevstrin, der kræver høj kontinuerlig strøm
• Anvendes sammen med hurtigt skiftende regulatorer i telekommunikationsudstyr
• Kan bruges til batteristyring i højspændingssystemer
• Anvendes i serverstrømfordeling og datacenterforsyninger

Hvilke ekstreme temperaturer tåler den under drift?

Den er specificeret til at fungere fra -55 °C op til 150 °C, hvilket giver mulighed for brug i termisk krævende miljøer.

Hvilken montering og stiftanordning bruger den til printkortmontering?

Komponenten er en overflademonteret enhed, der leveres i et 8-benet PQFN-hus, der er designet til kompakt implementering på kortniveau.

Hvad er ledningskanaltypen, og hvordan påvirker det kredsløbsdesign?

Den anvender en N-kanalforbedringsenhed, der kræver passende gate-drive-polaritet og er optimeret til lav-side- eller synkrone skiftetopologier.

Hvordan påvirker den fremadgående spænding koblingens ydeevne?

Den fremadrettede spænding på 1,2 V angiver diodens ledningskarakteristik under body-diode-hændelser og informerer om beregninger af ledningstab under kommutation.