Infineon N-Kanal, MOSFET, 40 A 80 V N, 8 Ben, PQFN, OptiMOS 5

RS-varenummer:: 214-4341
Producentens varenummer:: BSZ070N08LS5ATMA1
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 40 A 80 V N, 8 Ben, PQFN, OptiMOS 5

Indhold (1 pakke af 15 enheder)*

Kr. 181,76

(ekskl. moms)

Kr. 227,19

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

På lager

22.050 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr pakke*
15 +	Kr. 12,117	Kr. 181,76

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 214-4341
Producentens varenummer:: BSZ070N08LS5ATMA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Kanaltype	N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	40A
	Drain source spænding maks. Vds	80V
	Serie	OptiMOS 5
	Emballagetype	PQFN
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	9.4mΩ
	Kanalform	N
	Portkildespænding maks.	20V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	14.1nC
	Effektafsættelse maks. Pd	69W
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gennemgangsspænding Vf	1.2V
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Længde	3.4mm
	Højde	1.1mm
	Bredde	3.4mm
	Standarder/godkendelser	No
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Kanaltype N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 40A
	Drain source spænding maks. Vds 80V
	Serie OptiMOS 5
	Emballagetype PQFN
	Monteringstype Overflade
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 9.4mΩ
	Kanalform N
	Portkildespænding maks. 20V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 14.1nC
	Effektafsættelse maks. Pd 69W
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gennemgangsspænding Vf 1.2V
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Længde 3.4mm
	Højde 1.1mm
	Bredde 3.4mm
	Standarder/godkendelser No
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet - BSZ070N08LS5ATMA1

Infineon OptiMOS 5 seriens MOSFET, 80 V drain source-spænding, 40 A kontinuerlig drain-strøm - BSZ070N08LS5ATMA1

Denne MOSFET er en kompakt N-kanals koblingstransistor, der er designet til overflademonterede strømforsyningsanvendelser med høj strømstyrke. Den fungerer over et bredt temperaturområde og er konstrueret til lavt ledningstab og effektiv omskiftning i systemer, der kræver robust drain-source-ydeevne og moderat gate-drev. Enheden er velegnet til effekttrin på printkortniveau, hvor der kræves et lille fodaftryk og PQFN-montering.

Egenskaber og fordele:

• Meget lav modstand ved tænding på 9.4 mΩ reducerer ledningstab
• Høj kontinuerlig mærkestrøm på 40 A understøtter drift med kraftig belastning
• Drain-source mærkespænding 80 V muliggør konstruktioner med højere spænding
• En typisk gateopladning på 14,1 nC muliggør hurtigere skifteovergange
• Maks. effekttab på 69 W hjælper med at styre termisk belastning

Anvendelser

• Velegnet til synkrone buck-omformere i strømforsyninger
• Ideel til halvbro-trin til motordrev på kompakte printkort
• Anvendes sammen med batteristyringskredsløb i systemer med højere spænding
• Kan bruges til telekommunikations- og serverstrømskinner, der kræver høj strøm

Hvilke gate-spændingsgrænser skal jeg overholde for pålidelig omskiftning?

Enheden må ikke drives ud over et gate-source-potentiale på 20 V for at undgå gate-oxid-belastning.

Hvordan påvirker omgivelsestemperaturen kontinuerlig drift?

Kontinuerlig strømkapacitet er specificeret under standardbetingelser, men drift over enhedens termiske område kræver termisk styring, da effekttab nærmer sig 69 W.

Hvilke huskarakteristika påvirker printkortlayout og lodning?

Den bruger en 8-benet PQFN-pakke til overflademontering med et kompakt fodaftryk på 3,4 x 3,4 mm, der kræver et passende jordmønster og termiske ledninger til varmespredning.

Hvilke ekstreme temperaturer kan den modstå under implementering?

Komponenten er normeret til drift fra -55 °C op til 150 °C til brug i krævende termiske miljøer.