onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 40 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, NTP
- RS-varenummer:
- 214-8910
- Producentens varenummer:
- NTP082N65S3HF
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 1.477,60
(ekskl. moms)
Kr. 1.847,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 750 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 29,552 | Kr. 1.477,60 |
| 100 - 100 | Kr. 28,428 | Kr. 1.421,40 |
| 150 + | Kr. 28,044 | Kr. 1.402,20 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-8910
- Producentens varenummer:
- NTP082N65S3HF
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 40A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | NTP | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 82mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 313W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 81nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 10.53mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Højde | 4.83mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 40A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie NTP | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 82mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 313W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 81nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 10.53mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Højde 4.83mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
on Semiconductor MOSFET er en helt ny højspændings super-junction MOSFET-serie, der anvender opladningsbalanceteknologi for fremragende lav modstand og lavere gate-ladefunktion. Denne Advanced-teknologi er skræddersyet til at minimere tab af ledning, giver overlegen skifteevne og kan modstå ekstreme dv/dt-hastigheder.
Blyfri
I overensstemmelse med RoHS
Relaterede links
- onsemi Type N-Kanal 40 A 650 V Forbedring TO-220, NTP
- onsemi Type N-Kanal 74.3 A 150 V Forbedring TO-220, NTP
- onsemi Type N-Kanal 101 A 150 V Forbedring TO-220, NTP
- onsemi Type N-Kanal 40 A 650 V Forbedring TO-220
- onsemi Type N-Kanal 24 A 650 V Forbedring TO-220
- onsemi Type N-Kanal 20 A 650 V Forbedring TO-220
- onsemi Type N-Kanal 36 A 650 V Forbedring TO-220
- onsemi Type N-Kanal 30 A 650 V Forbedring TO-220