onsemi N-Kanal, MOSFET, 11 A 800 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, NTPF
- RS-varenummer:
- 214-8914
- Producentens varenummer:
- NTPF450N80S3Z
- Brand:
- onsemi
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 214-8914
- Producentens varenummer:
- NTPF450N80S3Z
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 11A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 800V | |
| Serie | NTPF | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 450mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 19.3nC | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 29.5W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 4.83mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bredde | 15.75mm | |
| Længde | 10.53mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 11A | ||
Drain source spænding maks. Vds 800V | ||
Serie NTPF | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 450mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 19.3nC | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 29.5W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 4.83mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bredde 15.75mm | ||
Længde 10.53mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
on Semiconductor er højtydende MOSFET-serie med 800 V gennemslagsspænding. Den er optimeret til primær kontakt for flyback-konverter, muliggør lavere skiftetab og sagstemperatur uden at gå på kompromis med EMI-ydelsen.
ESD forbedret kapacitet med zener-diode
I overensstemmelse med RoHS