Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 11 A 800 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS C3 Nej
- RS-varenummer:
- 911-0721
- Producentens varenummer:
- SPP11N80C3XKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 818,00
(ekskl. moms)
Kr. 1.022,50
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 450 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 16,36 | Kr. 818,00 |
| 100 - 200 | Kr. 15,87 | Kr. 793,50 |
| 250 - 450 | Kr. 15,379 | Kr. 768,95 |
| 500 + | Kr. 14,724 | Kr. 736,20 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 911-0721
- Producentens varenummer:
- SPP11N80C3XKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 11A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 800V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | CoolMOS C3 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 450mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 64nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 156W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 9.45mm | |
| Bredde | 4.57 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 10.36mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 11A | ||
Drain source spænding maks. Vds 800V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie CoolMOS C3 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 450mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 64nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 156W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 9.45mm | ||
Bredde 4.57 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 10.36mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon CoolMOS™C3 Power MOSFET
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFETer industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 11 A 800 V Forbedring TO-220, CoolMOS C3 Nej SPP11N80C3XKSA1
- Infineon Type N-Kanal 17 A 800 V Forbedring TO-220, CoolMOS C3 Nej
- Infineon Type N-Kanal 4 A 800 V Forbedring TO-220, CoolMOS C3 Nej
- Infineon Type N-Kanal 2 A 800 V Forbedring TO-220, CoolMOS C3 Nej
- Infineon Type N-Kanal 11 A 800 V Forbedring TO-247, CoolMOS C3 Nej
- Infineon Type N-Kanal 17 A 800 V Forbedring TO-220, CoolMOS C3 Nej SPP17N80C3XKSA1
- Infineon Type N-Kanal 2 A 800 V Forbedring TO-220, CoolMOS C3 Nej SPA02N80C3XKSA1
- Infineon Type N-Kanal 4 A 800 V Forbedring TO-220, CoolMOS C3 Nej SPP04N80C3XKSA1
