Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 17 A 800 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS C3 Nej SPA17N80C3XKSA1
- RS-varenummer:
- 753-3153
- Producentens varenummer:
- SPA17N80C3XKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 32,20
(ekskl. moms)
Kr. 40,25
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 4 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 245 enhed(er) afsendes fra 08. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 4 | Kr. 32,20 |
| 5 - 9 | Kr. 31,64 |
| 10 - 14 | Kr. 30,59 |
| 15 - 24 | Kr. 30,29 |
| 25 + | Kr. 29,17 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 753-3153
- Producentens varenummer:
- SPA17N80C3XKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 17A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 800V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | CoolMOS C3 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 290mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 91nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 42W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 9.808mm | |
| Længde | 10.627mm | |
| Bredde | 4.83 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 17A | ||
Drain source spænding maks. Vds 800V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie CoolMOS C3 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 290mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 91nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 42W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 9.808mm | ||
Længde 10.627mm | ||
Bredde 4.83 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon CoolMOS™C3 Power MOSFET
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFETer industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 17 A 800 V TO-220 FP, CoolMOS™ C3 SPA17N80C3XKSA1
- Infineon N-Kanal 17 A 800 V TO-220 FP, CoolMOS™ IPAN80R280P7XKSA1
- Infineon N-Kanal 11 A 800 V TO-220 FP, CoolMOS™ C3 SPA11N80C3XKSA1
- Infineon N-Kanal 8 A 800 V TO-220 FP, CoolMOS™ C3 SPA08N80C3XKSA1
- Infineon N-Kanal 17 A 800 V TO-220, CoolMOS™ C3 SPP17N80C3XKSA1
- Infineon N-Kanal 15 A 650 V TO-220 FP, CoolMOS™ C3 SPA15N60C3XKSA1
- Infineon N-Kanal 11 A 650 V TO-220 FP, CoolMOS™ C3 SPA11N60C3XKSA1
- Infineon N-Kanal 15 A 900 V TO-220 FP, CoolMOS™ C3 IPA90R340C3XKSA1
