Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 35 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, HEXFET AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 214-8953
- Producentens varenummer:
- AUIRFR540Z
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 132,10
(ekskl. moms)
Kr. 165,10
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 1.670 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | Kr. 13,21 | Kr. 132,10 |
| 50 - 90 | Kr. 12,559 | Kr. 125,59 |
| 100 - 240 | Kr. 11,295 | Kr. 112,95 |
| 250 + | Kr. 11,235 | Kr. 112,35 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-8953
- Producentens varenummer:
- AUIRFR540Z
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 35A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 28.5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 39nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 91W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 2.39mm | |
| Længde | 6.22mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 35A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 28.5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 39nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 91W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 2.39mm | ||
Længde 6.22mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon HEXFET Power MOSFET'er anvender de nyeste behandlingsteknikker til at opnå ekstremt lav modstand pr. silicium. Yderligere funktioner i dette design er driftstemperaturen ved 175 °C saltbro, hurtig koblingshastighed og forbedret gentagen lavine-klassificering. Disse funktioner gør dette design til en ekstremt effektiv og pålidelig enhed til brug i biler og en lang række andre anvendelser.
Avanceret procesteknologi
Ekstremt lav modstand ved tændt
Godkendt til brug i biler
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 35 A 100 V Forbedring TO-252, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 35 A 100 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 17 A 100 V Forbedring TO-252, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 9.3 A 250 V Forbedring TO-252, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 12 A 75 V Forbedring TO-252, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 62 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 30 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 100 A 40 V HEXFET AEC-Q101