Infineon N-Kanal, MOSFET og Diode, 62 A 55 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, HEXFET AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 220-7346
- Producentens varenummer:
- AUIRFR48ZTRL
- Brand:
- Infineon
Indhold (3000 enheder, på en rulle med 3000)*
Kr. 29.010,00
(ekskl. moms)
Kr. 36.270,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 08. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 9,67 | Kr. 29.010,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 220-7346
- Producentens varenummer:
- AUIRFR48ZTRL
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET og Diode | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 62A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 11mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 40nC | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 91W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 6.73mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 6.22mm | |
| Højde | 2.39mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET og Diode | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 62A | ||
Drain source spænding maks. Vds 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 11mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 40nC | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 91W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 6.73mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 6.22mm | ||
Højde 2.39mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon AUIRFR48ZTRL er specielt designet til brug i biler. Denne HEXFET power MOSFET anvender de nyeste behandlingsteknikker til at opnå ekstremt lav modstand ved opstart pr. silicium. Den bruges i biler og en lang række andre anvendelser.
Avanceret procesteknologi
Ekstremt lav modstand ved tændt
175 °C driftstemperatur
Hurtigt skift
Repetitive Avalanche tilladt op til Tjmax
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 62 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 30 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 62 A 55 V TO-252, HEXFET
- Infineon N-Kanal 42 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon N-Kanal 17 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon N-Kanal 60 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon N-Kanal 11 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon N-Kanal 44 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET