Infineon Type N-Kanal, MOSFET til biler, 30 A 55 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, HEXFET AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 165-5835
- Producentens varenummer:
- IRFR4105ZTRPBF
- Brand:
- Infineon
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 165-5835
- Producentens varenummer:
- IRFR4105ZTRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET til biler | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 30A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 55V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 24.5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 120W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | ±20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 18nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | Automotive (Q101) | |
| Højde | 2.39mm | |
| Bredde | 6.22 mm | |
| Længde | 6.73mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET til biler | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 30A | ||
Drain source spænding maks. Vds 55V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 24.5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 120W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. ±20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 18nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser Automotive (Q101) | ||
Højde 2.39mm | ||
Bredde 6.22 mm | ||
Længde 6.73mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 30A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 48W maksimal effektafledning - IRFR4105ZTRPBF
Denne MOSFET er designet til høj effektivitet og pålidelighed i en lang række elektroniske applikationer. Den er afgørende for spændingsregulering og switching og opfylder behovene i automations-, elektronik- og elektrotekniksektoren med sin robuste ydeevne. Enhedens lave on-modstand og evne til at håndtere høje kontinuerlige drain-strømme gør det muligt at bruge den i krævende miljøer.
Egenskaber og fordele
• Maksimal kontinuerlig afløbsstrøm på 30A sikrer stærk ydeevne
• Fungerer ved en maksimal drain-source-spænding på 55 V til højspændingsapplikationer
• Lav RDS(on) på 24,5 mΩ forbedrer energieffektiviteten
• Tåler temperatursvingninger op til +175°C
• Enhancement mode-teknologi giver pålidelig switched drift
• DPAK TO-252-pakke giver mulighed for nem overflademontering
Anvendelsesområder
• Strømstyringssystemer til effektiv spændingsregulering
• Motordrivere og effektomformere i automatisering
• Skiftende strømforsyninger og invertere
• Forbrugerelektronik, der kræver effektiv strømstyring
Hvad er den maksimale gate-tærskelspænding?
Den maksimale gate-tærskelspænding er 4V, hvilket giver mulighed for optimal gate-kontrol i switching-applikationer.
Kan den klare høje temperaturer?
Ja, denne MOSFET fungerer effektivt ved temperaturer fra -55 °C til +175 °C, hvilket gør den velegnet til udfordrende miljøer.
Er denne MOSFET egnet til overflademontering?
Ja, den kommer i en DPAK TO-252-pakke, der er designet til enkel integration ved overflademontering.
Hvordan klarer den sig i forhold til andre MOSFET'er, når det gælder strømspild?
Den maksimale effektafledningskapacitet er 48 W, hvilket gør den i stand til at håndtere store belastninger effektivt.
Hvilke typer applikationer er mest kompatible med denne komponent?
Det er særligt effektivt i applikationer, der kræver høj effektivitet, herunder motorstyring, strømomformere og elektriske systemer i automatisering.
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 30 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 62 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 11 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 60 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal 31 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 56 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 59 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 42 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET
