Infineon 2 N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 40 A 25 V Forbedring, 8 Ben, TISON-8, OptiMOS
- RS-varenummer:
- 214-8977
- Producentens varenummer:
- BSC0910NDIATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 80,78
(ekskl. moms)
Kr. 100,98
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 4.960 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | Kr. 8,078 | Kr. 80,78 |
| 50 - 90 | Kr. 7,674 | Kr. 76,74 |
| 100 - 240 | Kr. 7,51 | Kr. 75,10 |
| 250 - 490 | Kr. 7,031 | Kr. 70,31 |
| 500 + | Kr. 6,545 | Kr. 65,45 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-8977
- Producentens varenummer:
- BSC0910NDIATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 40A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 25V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Emballagetype | TISON-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 5.9mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2.5W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.87V | |
| Portkildespænding maks. | 10V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 23nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC1 | |
| Bredde | 6mm | |
| Længde | 5mm | |
| Højde | 1.1mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 40A | ||
Drain source spænding maks. Vds 25V | ||
Serie OptiMOS | ||
Emballagetype TISON-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 5.9mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2.5W | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.87V | ||
Portkildespænding maks. 10V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 23nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC1 | ||
Bredde 6mm | ||
Længde 5mm | ||
Højde 1.1mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon-serien af OptiMOS-produkter fås i højtydende pakker til at håndtere de mest udfordrende anvendelser, hvilket giver fuld fleksibilitet på begrænset plads. Disse Infineon-produkter er konstrueret til at opfylde og overstige kravene til energieffektivitet og effekttæthed i de skærpede næste-generations standarder for spændingsregulering i computere. Dual N-kanal OptiMOS MOSFET'er leveres halogenfri i henhold til IEC61249-2-21 og blyfri blybelægning; I overensstemmelse med RoHS.
Monolitisk integreret Schottky-lignende diode
Optimeret til højtydende buck-konvertere
100 % avalanche-testet
Relaterede links
- Infineon 2 N-Kanal Dobbelt 40 A 25 V Forbedring TISON-8, OptiMOS
- Infineon N-Kanal Dobbelt 20 A 55 V Forbedring TDSON, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon 2 N-Kanal Dobbelt 5 A 55 V Forbedring DSO, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon 2 N-Kanal Dobbelt 20 A 60 V Forbedring TDSON, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon 2 N-Kanal Dobbelt 20 A 100 V Forbedring TDSON, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon 2 N-Kanal Dobbelt 20 A 55 V Forbedring TDSON, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon 2 N-Kanal Dobbelt 20 A 100 V Forbedring TDSON, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon 2 N-Kanal Dobbelt 20 A 40 V Forbedring TDSON, OptiMOS AEC-Q101