Infineon 2 N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 5 A 55 V Forbedring, 8 Ben, DSO, OptiMOS AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 222-4625
- Producentens varenummer:
- BSO604NS2XUMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 108,91
(ekskl. moms)
Kr. 136,14
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 3.490 enhed(er) afsendes fra 07. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | Kr. 10,891 | Kr. 108,91 |
| 50 - 90 | Kr. 10,352 | Kr. 103,52 |
| 100 - 240 | Kr. 9,32 | Kr. 93,20 |
| 250 - 490 | Kr. 8,363 | Kr. 83,63 |
| 500 + | Kr. 7,959 | Kr. 79,59 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 222-4625
- Producentens varenummer:
- BSO604NS2XUMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 55V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Emballagetype | DSO | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 35mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 19.7nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.9V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2W | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 3.94mm | |
| Længde | 4.9mm | |
| Højde | 1.47mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 55V | ||
Serie OptiMOS | ||
Emballagetype DSO | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 35mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 19.7nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.9V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2W | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 3.94mm | ||
Længde 4.9mm | ||
Højde 1.47mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon-designet af MOSFET'er, også kendt som MOSFET-transistorer, står for 'metal Oxide Semiconductor Field-Effect transistorer'. MOSFET'er er transistorenheder, der styres af en kondensator. "Felteffekt" betyder, at de styres af spænding. Formålet med en MOSFET er at styre strømmen, der passerer gennem kilden til drænterminalerne.
Logikniveau
Green Product i forbedringstilstand (RoHS-kompatibel)
AEC-kvalificeret
Relaterede links
- Infineon 2 N-Kanal Dobbelt 5 A 55 V Forbedring DSO, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal Dobbelt 20 A 55 V Forbedring TDSON, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon 2 N-Kanal Dobbelt 20 A 55 V Forbedring TDSON, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon 2 N-Kanal Dobbelt 20 A 60 V Forbedring TDSON, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 100 A 55 V Forbedring TO-263, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 30 A 55 V Forbedring TO-263, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 80 A 55 V Forbedring TO-220, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 30 A 55 V Forbedring TO-252, OptiMOS AEC-Q101