Infineon 2 Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 5 A 55 V Forbedring, 8 Ben, DSO, OptiMOS AEC-Q101

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*

Kr. 17.632,50

(ekskl. moms)

Kr. 22.040,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • 2.500 enhed(er) afsendes fra 07. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
2500 +Kr. 7,053Kr. 17.632,50

*Vejledende pris

RS-varenummer:
222-4623
Producentens varenummer:
BSO604NS2XUMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

5A

Drain source spænding maks. Vds

55V

Serie

OptiMOS

Emballagetype

DSO

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

35mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

2W

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

19.7nC

Gennemgangsspænding Vf

0.9V

Min. driftstemperatur

-55°C

Transistorkonfiguration

Dobbelt

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

1.47mm

Længde

4.9mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

3.94 mm

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon-designet af MOSFET'er, også kendt som MOSFET-transistorer, står for 'metal Oxide Semiconductor Field-Effect transistorer'. MOSFET'er er transistorenheder, der styres af en kondensator. "Felteffekt" betyder, at de styres af spænding. Formålet med en MOSFET er at styre strømmen, der passerer gennem kilden til drænterminalerne.

Logikniveau

Green Product i forbedringstilstand (RoHS-kompatibel)

AEC-kvalificeret

Relaterede links