Infineon 2 Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 5 A 55 V Forbedring, 8 Ben, DSO, OptiMOS AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 222-4623
- Producentens varenummer:
- BSO604NS2XUMA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*
Kr. 13.787,50
(ekskl. moms)
Kr. 17.235,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 2.500 enhed(er) afsendes fra 07. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | Kr. 5,515 | Kr. 13.787,50 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 222-4623
- Producentens varenummer:
- BSO604NS2XUMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 55V | |
| Emballagetype | DSO | |
| Serie | OptiMOS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 35mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.9V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 19.7nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1.47mm | |
| Længde | 4.9mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 55V | ||
Emballagetype DSO | ||
Serie OptiMOS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 35mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.9V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 19.7nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1.47mm | ||
Længde 4.9mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon-designet af MOSFET'er, også kendt som MOSFET-transistorer, står for 'metal Oxide Semiconductor Field-Effect transistorer'. MOSFET'er er transistorenheder, der styres af en kondensator. "Felteffekt" betyder, at de styres af spænding. Formålet med en MOSFET er at styre strømmen, der passerer gennem kilden til drænterminalerne.
Logikniveau
Green Product i forbedringstilstand (RoHS-kompatibel)
AEC-kvalificeret
Relaterede links
- Infineon 2 Type N-Kanal Dobbelt 5 A 55 V Forbedring DSO, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal Dobbelt 20 A 55 V Forbedring TDSON, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon 2 Type N-Kanal Dobbelt 20 A 55 V Forbedring TDSON, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 30 A 55 V Forbedring TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 17 A 55 V Forbedring TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 19 A 55 V Forbedring TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 540 mA 55 V Forbedring SOT-23, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 80 A 55 V Forbedring TO-220, OptiMOS AEC-Q101