Infineon 2 N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 20 A 60 V Forbedring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 223-8523
- Producentens varenummer:
- IPG20N06S4L26AATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 15 enheder)*
Kr. 122,22
(ekskl. moms)
Kr. 152,78
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 30 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | Kr. 8,148 | Kr. 122,22 |
| 75 - 135 | Kr. 7,739 | Kr. 116,09 |
| 150 - 360 | Kr. 7,58 | Kr. 113,70 |
| 375 - 735 | Kr. 7,096 | Kr. 106,44 |
| 750 + | Kr. 6,603 | Kr. 99,05 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 223-8523
- Producentens varenummer:
- IPG20N06S4L26AATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 20A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | TDSON | |
| Serie | OptiMOS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 26mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 33W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 15nC | |
| Portkildespænding maks. | 16V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bredde | 5.9mm | |
| Længde | 5.15mm | |
| Højde | 1mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 20A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype TDSON | ||
Serie OptiMOS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 26mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 33W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 15nC | ||
Portkildespænding maks. 16V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bredde 5.9mm | ||
Længde 5.15mm | ||
Højde 1mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS seriens MOSFET, 60 V maksimal drain source-spænding, 20 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - IPG20N06S4L26AATMA1
Denne MOSFET er en dobbelt N-kanal overflademonteret transistor, der er designet til effektkobling og styring i krævende miljøer. Den kombinerer lave ledningstab med beskedne krav til portdrev for at understøtte anvendelser med høj strømstyrke i biler og industrielle systemer, hvor temperaturtolerance og kompakt emballage er vigtige.
Egenskaber og fordele:
• 60 V drain-klassificering muliggør mellemspændingskoblingsanvendelser
• 20 A kontinuerlig drænstrøm understøtter betydelige belastningsstrømme
• 26 mΩ Rds(on) reducerer ledningstab under drift
• 15 nC typisk gate-opladning minimerer gate-driverenergi
• 33 W maks. effekttab muliggør betydelig varmehåndtering
• Maksimal 16 V gate-source-beskyttelse opretholder gate-integriteten
• 20 A kontinuerlig drænstrøm understøtter betydelige belastningsstrømme
• 26 mΩ Rds(on) reducerer ledningstab under drift
• 15 nC typisk gate-opladning minimerer gate-driverenergi
• 33 W maks. effekttab muliggør betydelig varmehåndtering
• Maksimal 16 V gate-source-beskyttelse opretholder gate-integriteten
Anvendelser
• Velegnet til effekttrin i biler, der kræver AEC-Q101-kvalifikation
• Anvendes til DC-DC-konvertere i køretøjssystemer
• Ideel til halvbrokredsløb med motordrev på kompakte kort
• Kan bruges til omskiftning af højstrømsbelastninger i industriel styring
• Anvendes sammen med varmestyringsdesigner til høje driftstemperaturer
• Anvendes til DC-DC-konvertere i køretøjssystemer
• Ideel til halvbrokredsløb med motordrev på kompakte kort
• Kan bruges til omskiftning af højstrømsbelastninger i industriel styring
• Anvendes sammen med varmestyringsdesigner til høje driftstemperaturer
Hvilken hustype anvendes til implementering af kompakte printkort?
Den leveres i en 8-benet TDSON-pakke, der er velegnet til overflademontering.
Hvor godt tåler den høje omgivelsestemperaturer?
Enheden er normeret til drift op til 175 °C maksimal driftstemperatur.
Hvilke beskyttelsesgrænser findes der for gate-elektroden?
Gate-udgange er begrænset af en maksimal gate-source-spænding på 16 V.
Hvor mange transistorelementer er til stede pr. chip?
Der er to elementer pr. chip i den dobbelte konfiguration.
Hvilken miljø- eller materialestandard opfylder den?
Komponenten har RoHS-godkendelse for overholdelse af begrænsede stoffer.