Infineon 2 Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET-arrays, 20 A 60 V Forbedring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS AEC-Q101 IPG20N06S4L26AATMA1

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 15 enheder)*

Kr. 102,78

(ekskl. moms)

Kr. 128,475

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 24.825 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
15 - 60Kr. 6,852Kr. 102,78
75 - 135Kr. 6,507Kr. 97,61
150 - 360Kr. 6,373Kr. 95,60
375 - 735Kr. 5,959Kr. 89,39
750 +Kr. 5,55Kr. 83,25

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
223-8523
Producentens varenummer:
IPG20N06S4L26AATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET-arrays

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

20A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

TDSON

Serie

OptiMOS

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

26mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

15nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

33W

Portkildespænding maks.

16 V

Driftstemperatur maks.

175°C

Transistorkonfiguration

Dobbelt

Standarder/godkendelser

RoHS

Længde

5.15mm

Bredde

5.9 mm

Højde

1mm

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon OptiMOS-seriens dobbelt N-kanal MOSFET har drain til kildespænding på 60 V. Den har fordele ved større tilslutning af kildeleder til ledningsbinding, og forbindelsestråd er 200 um for op til 20 A strøm.

Automotiv AEC Q101 kvalificeret

• MSL1 op til 260 °C peak reflow

• 175 °C driftstemperatur

• grønt hus

• Ultra lav RDS

• 100 % lavine-testet

Relaterede links