Infineon 2 Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET-arrays, 20 A 60 V Forbedring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 223-8523
- Producentens varenummer:
- IPG20N06S4L26AATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 15 enheder)*
Kr. 105,315
(ekskl. moms)
Kr. 131,64
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 4.995 enhed(er) afsendes fra 20. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | Kr. 7,021 | Kr. 105,32 |
| 75 - 135 | Kr. 6,667 | Kr. 100,01 |
| 150 - 360 | Kr. 6,527 | Kr. 97,91 |
| 375 - 735 | Kr. 6,109 | Kr. 91,64 |
| 750 + | Kr. 5,685 | Kr. 85,28 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 223-8523
- Producentens varenummer:
- IPG20N06S4L26AATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET-arrays | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 20A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | TDSON | |
| Serie | OptiMOS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 26mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 33W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 15nC | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 5.15mm | |
| Højde | 1mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET-arrays | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 20A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype TDSON | ||
Serie OptiMOS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 26mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 33W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 15nC | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 5.15mm | ||
Højde 1mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS-seriens dobbelt N-kanal MOSFET har drain til kildespænding på 60 V. Den har fordele ved større tilslutning af kildeleder til ledningsbinding, og forbindelsestråd er 200 um for op til 20 A strøm.
Automotiv AEC Q101 kvalificeret
• MSL1 op til 260 °C peak reflow
• 175 °C driftstemperatur
• grønt hus
• Ultra lav RDS
• 100 % lavine-testet
Relaterede links
- Infineon 2 Type N-Kanal Dobbelt 20 A 60 V Forbedring TDSON, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal Dobbelt 20 A 55 V Forbedring TDSON, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon 2 Type N-Kanal Dobbelt 20 A 100 V Forbedring TDSON, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon 2 Type N-Kanal Dobbelt 20 A 100 V Forbedring TDSON, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon 2 Type N-Kanal Dobbelt 20 A 40 V Forbedring TDSON, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon 2 Type N-Kanal Dobbelt 20 A 55 V Forbedring TDSON, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon 2 Type N-Kanal Dobbelt 20 A 100 V Forbedring TDSON, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon 2 Type N-Kanal Dobbelt 16 A 100 V Forbedring TDSON, OptiMOS-T2 AEC-Q101